| 主权项 |
1.一种具散热片半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一矩阵式晶片承载件模组片,该晶片承载件模组片乃由多数呈阵列方式排列之晶片承载件所构成者,同时,各该晶片承载件具有一上表面及一下表面;接置至少一晶片于各该晶片承载件之上表面上之预设位置处,使该晶片电性连接至该晶片承载件;提供一散热片模组板,其具有一上表面及一下表面,并黏接该下表面至该晶片上,使该晶片夹置于该晶片承载件模组片与该散热片模组板间,同时,形成一介面层于该散热片模组板之上表面上,且使该介面层与形成一封装胶体用之封装化合物间之黏结性大于该介面层与散热片模组板间之黏结性,及使该介面层与散热片模组板间之黏结性小于该散热片模组板与该封装化合物间之黏结性;形成该封装胶体,其用以包覆该散热片模组板及该晶片;进行一切单作业以形成个别半导体封装件之半成品;以及去除形成于该介面层上之该封装化合物渣料及该介面层。2.如申请专利范围第1项之制法,其中,该散热片模组板之面积系足以完全遮覆住该晶片承载件模组片之晶片承载件。3.如申请专利范围第1项之制法,其中,该介面层系一具胶黏性之胶片。4.如申请专利范围第1项之制法,其中,该介面层系由树脂化合物所涂布而成者。5.如申请专利范围第1项之制法,其中,该介面层与该散热片模组板间之黏结性须足以在切单作业时,使该散热片模组板不致与该介面层分离。6.如申请专利范围第1项之制法,其中,该晶片承载件系一基板。7.如申请专利范围第6项之制法,其中,该晶片系以焊线电性连接至该基板。8.如申请专利范围第6项之制法,其中,该晶片系藉焊锡凸块电性连接至该基板。9.如申请专利范围第1项之制法,其中,该晶片承载件系一QFN(Quad Flat Nonlead)导线架。10.如申请专利范围第9项之制法,其中,该晶片系以焊线电性连接至该QFN导线架。11.如申请专利范围第1项之制法,其中,该散热片模组板之下表面系予以粗糙化、凹凸化或皱褶化处理。12.如申请专利范围第1项之制法,其中,该散热片模组板之下表面上对应于该晶片之部位系分别朝各该晶片之方向凸伸出一连接部,以藉该等连接部连接该散热片模组板至该晶片上,而使该散热片模组板位于该等连接部外之下表面与该晶片间隔开。13.如申请专利范围第1项之制法,复包括于形成该封装胶体后,植接多数焊球于各该晶片承载件之下表面上,以供该晶片藉之与外界装置形成电性连接关系。14.一种具散热片半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一矩阵式晶片承载件模组片,该晶片承载件模组片乃由多数呈阵列方式排列之晶片承载件所构成者,同时,各该晶片承载件具有一上表面及一下表面;接置至少一晶片于各该晶片承载件之上表面上之预设位置处,使该晶片电性连接至该晶片承载件;黏设至少一缓冲垫片于各该晶片上,该缓冲垫片系以与该晶片之热膨胀系数相当之材料制成者;提供一散热片模组板,其具有一上表面及一下表面,并黏接该下表面至该晶片上,使该晶片夹置于该晶片承载件模组片与该散热片模组板间,同时,形成一介面层于该散热片模组板之上表面上,且使该介面层与形成一封装胶体用之封装化合物间之黏结性大于该介面层与散热片模组板间之黏结性,及使该介面层与散热片模组板间之黏结性小于该散热片模组板与该封装化合物间之黏结性;形成该封装胶体,其用以包覆该散热片模组板及该晶片;进行一切单作业以形成个别半导体封装件之半成品;以及去除形成于该介面层上之该封装化合物渣料及该介面层。15.如申请专利范围第14项之制法,其中,该散热片模组板之面积系足以完全遮覆住该晶片承载件模组片之晶片承载件。16.如申请专利范围第14项之制法,其中,该介面层系一具胶黏性之胶片。17.如申请专利范围第14项之制法,其中,该介面层系由树脂化合物所制成者。18.如申请专利范围第14项之制法,其中,该介面层与散热片模组板间之黏结性须足以在切单作业时,使该散热片模组板不致与该介面层分离。19.如申请专利范围第14项之制法,其中,该晶片承载件系一基板。20.如申请专利范围第19项之制法,其中,该晶片系以焊线电性连接至该基板。21.如申请专利范围第14项之制法,其中,该晶片承载件系一QFN(Quad Flat Nonlead)导线架。22.如申请专利范围第21项之制法,其中,该晶片系以焊线电性连接至该QFN导线架。23.如申请专利范围第14项之制法,其中,该散热片模组板之下表面系予以粗糙化、凹凸化或皱褶化处理。24.如申请专利范围第14项之制法,复包括于形成该封装胶体后,植接多数焊球于各该晶片承载件之下表面上,以供该晶片藉之与外界装置形成电性连接关系。图式简单说明:第1(A)至1(H)图系本发明半导体封装件制法之第一实施例之制造流程示意图;第2图系以本发明第一实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;第3图系以本发明第二实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;第4图系以本发明第三实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;第5图系以本发明第四实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;第6图系以本发明第五实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;第7图系以本发明第六实施例之制法所制成之半导体封装件之剖视图;以及第8图系习知具散热片之半导体封装件之剖视图。 |
