| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含有一第一电极、形成在该第一电极上方的一氧铁电气膜、及形成在氧铁电气膜上方的一第二电极,该半导体元件更包含:于该第一电极和该氧铁电气膜间的边界、与于该氧铁电气膜和该第二电极间的边界之至少一个处形成的perovskite晶体结构之一中间层。2.依据申请专利范围第1项之半导体元件,其中该中间层系BaTiO3层、SrTiO3层、或CaTiO3层。3.依据申请专利范围第2项之半导体元件,其中该中间层更含有至少任何元素之Ca、Sr、Tl、Pb、Bi、稀有硷土元素、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co、Cr和Zr。4.依据申请专利范围第1项之半导体元件,其中该第一电极及/或该第二电极系基本金属。5.依据申请专利范围第2项之半导体元件,其中该第一电极及/或该第二电极系基本金属。6.依据申请专利范围第3项之半导体元件,其中该第一电极及/或该第二电极系基本金属。7.依据申请专利范围第4项之半导体元件,其中该基本金属系Ni、Cu或Cr。8.依据申请专利范围第5项之半导体元件,其中该基本金属系Ni、Cu或Cr。9.依据申请专利范围第6项之半导体元件,其中该基本金属系Ni、Cu或Cr。10.依据申请专利范围第1项之半导体元件,其中该氧铁电气膜系铅基底氧化物氧铁电气膜。11.依据申请专利范围第10项之半导体元件,其中该铅基底氧化物氧铁电气膜系PbZrxTi1-xO3膜。12.依据申请专利范围第11项之半导体元件,其中该PbZrxTi1-xO3膜更含有至少任一元素之La、Sr和Ca。13.依据申请专利范围第1项之半导体元件,其中该氧铁电气膜系(AO)2(By-1CyO3y+1)膜,其中A系Tl、Pb、Bi、或稀有硷土元素之至少任一元素;B系Bi、Pb、Ca、Sr、和Ba之至少任一元素;C为Ti、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co、Cr和Zr之至少任一元素;且Y为2.3.4和5之任一个。14.依据申请专利范围第13项之半导体元件,其中该氧铁电气膜系铋层结构氧铁电气膜。15.依据申请专利范围第14项之半导体元件,其中该铋层结构氧铁电气膜系SrBi2Ta2O9膜、Bi2Ba2Ti3O12膜或Bi2Ca3Ti4O15膜。16.一种半导体元件,包含有:一电容器,该电容器包括一第一电极、形成在该第一电极上方的一氧铁电气膜、及形成在该氧铁电气膜上方的一第二电极;以及连接至该第一电极或该第二电极的一电晶体;该半导体元件更包含:于该第一电极和该氧铁电气膜间的边界、与于该氧铁电气膜和该第二电极间的边界之至少一个处形成的perovskite晶体结构之一中间层。17.一种制造半导体元件之方法,该方法包含:形成一第一电极之步骤,于该第一电极上方形成一氧铁电气膜之步骤,及在该氧铁电气膜上方形成一第二电极之步骤;该方法更包含:在形成该第一电极之该步骤后、和在形成该氧铁电气膜之该步骤前,及/或在形成该氧铁电气膜之该步骤后、和在形成该第二电极之该步骤前,形成可结晶化成perovskite结构的一中间层之步骤。18.依据申请专利范围第17项的制造半导体元件之方法,其中在形成该中间层之该步骤中,该中间层系在一惰性大气中形成。19.依据申请专利范围第17项的制造半导体元件之方法,其中该中间层和该氧铁电气膜系不曝露于周遭大气地形成。图式简单说明:第1A和1B图系根据本发明之第一实施例的半导体元件之截面图;第2A-2C图系根据本发明之第一实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法(第1部份);第3A和3B图系根据本发明之第一实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法(第2部份);第4A和4B图系根据本发明之第一实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法(第3部份);第5图系根据本发明之第一实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法(第4部份);第6A-6C图系根据本发明之第一实施例的修正之半导体元件的截面图;第7A-7C图系根据本发明之第一实施例的修正之半导体元件的截面图;第8A和8B图系根据本发明之第二实施例的半导体元件之截面图;第9A和9B图系根据本发明之第二实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法;第10A和10B图系根据本发明之第三实施例的半导体元件之截面图;第11A和11B图系根据本发明之第三实施例的半导体元件之截面图,在用来制造该半导体元件的方法之步骤中,其显示该方法;第12A和12B图系根据本发明之第三实施例的修正之半导体元件的截面图;及第13图系传统FRAM之电容器的概念图。 |
