相移式光罩之清洗制程

摘要

一种相移式光罩之清洗制程，系在原本的光罩清洗制程中，加入预清洗步骤，其目的在除去原本安置光罩护膜所涂布的高分子胶，防止因高分子的残留所造成的光罩损坏现象。一般相移式光罩之正常清洗步骤系例如将光罩依序浸泡硫酸与过氧化氢溶液(Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture；SPM)、以及氢氧化铵与过氧化氢之水溶液(Ammonium Hydrogen Peroxide Mixture；APM；亦称 SC1)，并在其间利用超纯水(D.I.Water)加以清洗，而达到去除光罩上污损物质的目的。此清洗制程系先在正常清洗步骤中，先依序加以SC1溶液与超纯水的清洗后，再进行正常清洗步骤，如此可去除相移式光罩上原有装置光罩护膜的有机胶残留。

主权项

1.一种相移式光罩之清洗制程,至少包括:利用一第一清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第一清洗步骤所具有之一第一清洗溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液(Ammonium Hydrogen PeroxideMixture;APM;亦称SC1);利用一第二清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第二清洗步骤所具有之一第二清洗溶液系为超纯水(D.I.Water);利用一第三清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第三清洗步骤所具有之一第三清洗溶液系为硫酸与过氧化氢溶液(Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture;SPM);利用一第四清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第四清洗步骤所具有之一第四清洗溶液系为超纯水。利用一第五清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第五清洗步骤所具有之一第五清洗溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液;以及利用一第六清洗步骤清洗该相移式光罩,其中该第六清洗步骤所具有之一第六清洗溶液系为超纯水。2.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩之清洗制程,其中上述之相移式光罩系利用钼矽氧氮化物(MoSiON)做为一相移层。3.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩之清洗制程,其中上述之第一清洗溶液中,水、氢氧化铵与过氧化氢的体积比为1:X:Y,其中X系小于等于1,Y系小于等于1。4.如申请专利范围第3项所述之相移式光罩之清洗制程,其中上述之进行该第一清洗步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液约1分钟至5分钟。5.如申请专利范围第4项所述之相移式光罩之清洗制程,其中上述之进行该第一清洗步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液约2分钟。6.一种相移式光罩之第一清洗制程,系使用在利用一第二清洗制程来清洗一相移式光罩之前,该相移式光罩之第一清洗制程至少包括:利用一第一清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第一清洗溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液;利用一第二清洗溶液清洗该相移式光单,其中该第二清洗溶液系为超纯水;以及进行该第二清洗制程。7.如申请专利范围第6项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之相移式光罩系利用钼矽氧氮化物(MoSiON)做为一相移层。8.如申请专利范围第6项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之第二清洗制程系至少包括:利用一第三清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第三清洗溶液系为硫酸与过氧化氢溶液;利用一第四清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第四清洗溶液系为超纯水;利用一第五清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第五清洗溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液;以及利用一第六清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第六清洗溶液系为超纯水。9.如申请专利范围第6项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之第一清洗溶液中,水、氢氧化铵与过氧化氢的体积比为1:X:Y,其中X系小于等于1,Y系小于等于1。10.如申请专利范围第9项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之利用该第一清洗溶液洗净该相移式光罩之步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液约1分钟至5分钟。11.如申请专利范围第10项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之利用该第一清洗溶液洗净该相移式光罩之步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液约2分钟。12.一种相移式光罩之第一清洗制程,系使用在利用一第二清洗制程来清洗一相移式光罩之前,该相移式光罩之第一清洗制程至少包括:利用一第一清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第一清洗溶液系为一硷性水溶液;利用一第二清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第二清洗溶液系为超纯水;以及进行该第二清洗制程。13.如申请专利范围第12项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之相移式光罩系利用钼矽氧氮件物(MoSiON)做为一相移层。14.如申请专利范围第12项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之硷性水溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液。15.如申请专利范围第12项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之第二清洗制程系至少包括:利用一第三清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第三清洗溶液系为硫酸与过氧化氢溶液;利用一第四清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第四清洗溶液系为超纯水;利用一第五清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第五清洗溶液系为氢氧化铵与过氧化氢之水溶液;以及利用一第六清洗溶液清洗该相移式光罩,其中该第六清洗溶液系为超纯水。16.如申请专利范围第12项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之第一清洗溶液中,水、氢氧化铵与过氧化氢的体积比为1:X:Y,其中X系小于等于1,Y系小于等于1。17.如申请专利范围第16项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之利用该第一清洗溶液清洗该相移式光罩之步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液1分钟至5分钟。18.如申请专利范围第17项所述之相移式光罩之第一清洗制程,其中上述之利用该第一清洗溶液清洗该相移式光罩之步骤,系将该相移式光罩浸泡该第一清洗溶液约2分钟。图式简单说明:第1图所绘示为一般具有光罩护膜之相移式光罩示意图;第2图所绘示为一般去除光罩护膜之相移式光罩示意图;第3图所绘示为习知相移式光罩清洗制程流程图;以及第4图所绘示为本发明相移式光罩清洗制程流程图。