| 摘要 |
본 발명은 산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 전계 효과 이동도를 향상시키는 것을 과제의 하나로 한다. 또, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 안정시키는 것을 과제의 하나로 한다. 산화물 반도체층을 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 산화물 반도체층 위에, 상기 산화물 반도체보다 도전율이 높은 반도체층 또는 도전층을 형성함으로써, 상기 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 향상시킬 수 있다. 또, 산화물 반도체층과 박막 트랜지스터의 보호 절연층 사이에 상기 산화물 반도체층보다 도전율이 높은 반도체층 또는 도전층을 형성함으로써, 산화물 반도체층의 조성 변화나 막질의 열화를 막고, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 안정시킬 수 있다. |
