| 主权项 |
1.一种在介电质之上表面上制造包括导电磁轨、垫及微通孔之电路元件之方法,此介电质系由可接着进行金属化之化合物及适当的一或多种其他非导电性及惰性填料之聚合物母体所组成,该介电质覆盖电路元件层或金属化层,此方法系经由实行以下之步骤而进行:A)笔直穿过该介电质钻孔,但不钻到下层的金属化层或下层的电路元件层,而于期望的位置形成一或多个微通孔;B)利用经由沈积保护层而得的选择性保护,经由金属化,在介电质及微通孔之表面上形成金属磁轨、垫及微通孔。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该可接着进行金属化之化合物系由选自Cu、Co、Cr、Cd、Ni、Pb及Sb氧化物及其混合物之金属氧化物之颗粒所组成。3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于钻孔系于步骤A)中利用雷射进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该金属化系于可被金属化的次层上进行,此次层系预先于微通孔之表面上,及于介电质之表面上或介电质之部分之表面上形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该可接着进行金属化之化合物系由选自Cu、Co、Cr、Cd、Ni、Pb及Sb氧化物及其混合物之金属氧化物之颗粒所组成,及步骤B)包括下列步骤:B1)经由使全部或部分的介电质接受适当还原剂的还原作用,在微通孔之表面上,及在介电质之表面上或介电质之部分的表面上形成可被金属化的次层,直至制得尤其覆盖微通孔之金属次层为止,经由使在介电质之暴露表面上的金属氧化物颗粒还原,其之表面电阻率系在0.01及1010/之间;B2)经由以适当的顺序实行包括以下步骤(i)及步骤(ii)之一序列处理步骤而制造包括磁轨、垫及微通孔之电路元件:步骤(i),电化学(无电)及/或电解金属化;步骤(ii),经由沈积保护层而提供选择性保护。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于步骤B2)包括蚀刻步骤(iii)。7.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于在步骤B1)中,将次层形成于介电质及微通孔之整个表面上,此次层在适当的情况下经由金属化而于全部的介电质及微通孔上强化;步骤B2)包括依序实行以下的步骤B2a)至B2d):B2a)将由步骤B1)所产生之介电质之表面的特定部分涂布保护层,未经覆盖的部分系对应于要形成期望互连电路元件的区域;B2b)利用以电化学(无电)及/或电解方式涂布的互补金属沈积物强化未于B2a)中覆盖之该部分;B2c)经由将于步骤B2a)中沈积之保护层移除,而使介电质之上表面暴露;B2d)使沈积于介电质上之金属进行差分蚀刻,直至将在于步骤B2c)中暴露之介电质之该等部分之次层B1)完全移除为止。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征在于步骤B2a)包括下列步骤:B2a)于经还原剂处理之后,在介电质之整个表面上沈积一层感光性树脂;B2a)经由辐射而在感光层上形成影像;B2a)将该层感光性树脂之可溶解部分移除。9.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于该在步骤B1)中形成次层之还原剂系为硷性硼氢化物,该还原系经由使该介电质与该硼氢化物之水溶液接触,直至制得表面电阻率在0.01 及1010/之间之连续铜层为止而进行。10.如申请专利范围第2项之方法,其特征在于该介电质系由下列成份所组成:-自10至90重量百分比,以自25至90重量百分比较佳之金属氧化物;-自0至50重量百分比之惰性非导电性填料;及-自10至90重量百分比,以自10至75重量百分比较佳之聚合物树脂;及在步骤B1)中,该还原系持续进行直至得到在0.01及103/之间之表面电阻率为止,该在步骤B2)中之金属化系以电解方式进行。11.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于该金属氧化物颗粒系为氧化亚铜颗粒,及在步骤B1)中,将金属铜次层沈积于该介电质之暴露表面上。12.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于该步骤B2)中之金属化系由金属铜沈积物所组成。13.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该可接着进行金属化之化合物系由选自Cu、Co、Cr、Cd、Ni、Pb及Sb氧化物及其混合物之金属氧化物之颗粒所组成,及步骤B)包括下列步骤:B1)经由使全部或部分的介电质接受可被氧化物颗粒还原之贵金属盐之溶液之作用,而在微通孔之表面上,及在介电质之表面上或介电质之部分的表面上形成可被金属化的次层;B2)经由以适当的顺序进行包括以下步骤(i)及步骤(ii)之一序列处理步骤而制造包括磁轨、垫及微通孔之电路元件:步骤(i),电化学(无电)及/或电解金属化;步骤(ii),经由沈积保护层而提供选择性保护。14.如申请专利范围第2项之方法,其特征在于步骤B)包括下列步骤:b1)在介电质及微通孔上形成要用于形成选择性保护之一层感光性树脂,此层不含可接着进行金属化之化合物;c1)将感光性树脂层辐射及显影,以使微通孔及介电质之特定部分选择性地暴露;d1)利用以下方式形成可被金属化的次层-经由与可被金属氧化物颗粒还原之贵金属盐的溶液接触,-或经由与可将金属氧化物颗粒还原之还原剂接触;e1)电化学及/或电解金属化,以在于步骤c1)中暴露的部分上沈积金属层。15.如申请专利范围第2项之方法,其特征在于步骤B)包括下列步骤:b2)利用以下方式在介电质及微通孔之表面上形成可被金属化之次层:-经由与可被金属氧化物颗粒还原之贵金属盐的溶液接触,-或经由与可将金属氧化物颗粒还原之还原剂接触;c2)电化学及/或电解金属化,以在介电质及微通孔上沈积金属层;d2)在金属化表面上形成要用来形成选择性保护之一层感光性树脂;e2)将感光性树脂层辐射及显影,以使金属层之特定部分选择性地暴露;f2)自于步骤e2)中暴露之部分将金属层移除;g2)将感光性树脂层移除。16.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该介电表面系由包括一层金属及一层该介电质之层压制品所制得,该介电质系由可接着进行金属化之化合物及适当的一或多种其他非导电性及惰性填料之聚合物母体所组成。图式简单说明:图1a)至1g)显示在根据第二实行法之方法中之各个步骤的电路元件。图2a)至2h)显示在根据第三实行法之方法中之各个步骤的电路元件。图3a)至3i)显示在根据第一实行法之方法中之各个步骤的电路元件。 |
