| 主权项 |
1.一种将一沟渠表面结构非晶矽化的方法,其中该沟渠系位于具有一底材之一半导体内,该方法至少包含:进行一重离子植入步骤,使得该沟渠表面的结构被破坏。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底材之表面具有一垫氧化层。3.如申请专利范围第2项之方法,更包含一阻绝层沉积在该垫氧化层上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该沟渠的方法至少包含非等向性乾蚀刻法。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述重离子是选自于由元素周期表中,三族,四族以及五族之元素所组成的族群之中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述重离子植入的能量约为10KeV至200KeV。7.如申请专利范围第1项之方法,在该沟渠表面结构非晶矽化之后更包含在该沟渠内形成一衬层。8.一种形成浅沟渠隔离结构之方法,该方法至少包含:提供一底材,在该底材上形成一垫氧化层,在该垫氧化层上形成一阻绝层;在该阻绝层,该垫氧化层以及部份的该底材内形成一沟渠;进行一重离子植入步骤于该沟渠内,使得该沟渠内表面的晶格结构被破坏;以及在该沟渠内形成一衬层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述垫氧化层之材质至少包含二氧化矽。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述阻绝层之材质至少包含氮化矽。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述形成该沟渠的方法至少包含非等向性乾蚀刻法。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述重离子是选自于由元素周期表中,三族,四族以及五族之元素所组成的族群之中。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述重离子是选自于由矽,锑,锗以及砷所组成的族群之中。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述重离子植入的能量约为10KeV至200KeV。15.如申请专利范围第8项之方法,其中上述重离子植入所破坏的晶格结构至少包含Si<1,1,0>结构。16.如申请专利范围第8项之方法,其中上述重离子植入所破坏的晶格结构至少包含Si<1,1,1>结构。17.如申请专利范围第8项之方法,其中上述衬层形成的方法至少包含热氧化法。18.如申请专利范围第8项之方法,其中上述衬层之材质至少包含二氧化矽。19.如申请专利范围第8项之方法,更包含一绝缘层沉积在沟渠内。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述绝缘层之材质至少包含二氧化矽。21.如申请专利范围第19项之方法,其中上述绝缘层形成的方法至少包含常压化学气相沉积法。22.如申请专利范围第19项之方法,其中上述绝缘层形成的方法至少包含高密度化电浆化学气相沉积法。23.一种形成浅沟渠隔离结构之方法,该方法至少包含:提供一底材,在该底材上形成一垫氧化层,在该垫氧化层上形成一阻绝层;在该阻绝层,该垫氧化层以及部份的该底材内形成一沟渠;进行一重离子植入步骤于该沟渠内,使得该沟渠内表面的晶格结构被破坏,其中上述重离子是选自于由元素周期表中,三族,四族以及五族之元素所组成的族群之中,其中上述重离子植入的能量约为10KeV至200KeV;以及在该沟渠内形成一衬层。24.如申请专利范围第23项之方法,其中上述垫氧化层之材质至少包含二氧化矽。25.如申请专利范围第23项之方法,其中上述阻绝层之材质至少包含氮化矽。26.如申请专利范围第23项之方法,其中上述形成该沟渠的方法至少包含非等向性乾蚀刻法。27.如申请专利范围第23项之方法,其中上述重离子是选自于由矽,锑,锗以及砷所组成的族群之中。28.如申请专利范围第23项之方法,其中上述重离子植入所破坏的晶格结构至少包含Si<1,1,0>结构。29.如申请专利范围第23项之方法,其中上述重离子植入所破坏的晶格结构至少包含Si<1,1,1>结构。30.如申请专利范围第23项之方法,其中上述衬层形成的方法至少包含热氧化法。31.如申请专利范围第23项之方法,其中上述衬层之材质至少包含二氧化矽。32.如申请专利范围第23项之方法,更包含一绝缘层沉积在沟渠内。33.如申请专利范围第32项之方法,其中上述绝缘层之材质至少包含二氧化矽。34.如申请专利范围第32项之方法,其中上述绝缘层形成的方法至少包含常压化学气相沉积法。35.如申请专利范围第32项之方法,其中上述绝缘层形成的方法至少包含高密度化电浆化学气相沉积法。图式简单说明:第一图系传统浅沟渠隔离结构之截面图;第二图为浅沟渠隔离结构形成图案转移光阻后之截面图;第三图系传统沟渠隔离结构形成之截面图;第四图为浅沟渠隔离结构以非晶系化前植入之示意图;以及第五图系形成一衬层于浅沟渠隔离结构内之截面图。 |
