半导体制造装置的监视以及控制方法及其实施装置

摘要

提供一面预测其之处理结果一面控制或监视半导体制造装置之方法以及系统。该系统系包含：监视处理状态之传感器；以及保存由传感器被送出之传感器资料之传感器资料保存部；以及输入以制造装置所处理之半导体装置之处理结果的量测值之输入装置；以及被输入之处理结果量测值之保存部；以及由被保存之传感器资料与处理结果量测值产生模型式之模型式产生部；以及保存所产生之模型式之模型式保存部；以及由所保存之模型式与传感器资料预测处理结果之藉由模型式之预测部；以及由所预测之处理结果控制制造装置之处理条件之处理条件控制部。

主权项

1.一种半导体处理装置,其特征为包含:监视处理半导体晶圆之半导体处理装置的处理状态之传感器;以及输入藉由前述半导体处理装置所处理之半导体晶圆的处理结果之量测値之处理结果输入手段;以及依据前述传感器取得之传感器资料以及前述量测値,将前述传感器资料当成说明变数,产生预测处理结果之模型式之模型式产生部;以及依据前述模型式以及前述传感器资料,预测处理结果之处理结果预测部;以及比较前述预测处理结果与预先设定之设定値,补正其之偏差地控制前述半导体处理装置之处理条件之处理条件控制部。2.如申请专利范围第1项记载之半导体处理装置,其中前述模型式产生部系利用PLS法(Partial Least Square method:部位最少平方法)以产生模型式。3.如申请专利范围第1项记载之半导体处理装置,其中前述模型式产生部系利用坚固回归分析法(Robust Regression)以产生模型式。4.如申请专利范围第1项记载之半导体处理装置,其中前述模型式产生部系利用主成分坚固回归分析法(PrincipalComponent Robust Regression)以产生模型式。5.一种半导体处理装置,其特征为包含:监视处理半导体晶圆之半导体处理装置的处理状态之传感器;以及输入藉由前述半导体处理装置所处理之半导体晶圆的处理结果之量测値之处理结果输入手段;以及依据前述传感器取得之传感器资料以及前述量测値,将前述传感器资料当成说明变数,产生预测处理结果之模型式之模型式产生部;以及依据前述模型式以及前述传感器资料,预测处理结果之处理结果预测部;以及显示前述预测之预测値,或该预测値与预先设定之设定値之偏差之显示部。6.一种半导体处理装置,其特征为具备:监视处理半导体晶圆之半导体处理装置的处理状态之复数的传感器;以及依据该复数的传感器所取得之复数的传感器资料,抽出主成分之主成分抽出部;以及依据该抽出部所抽出之主成分之变动的偏差,检测处理之异常的异常检测部。7.如申请专利范围第1项记载之半导体处理装置,其中具备:以前述复数的传感器所取得之复数的传感器资料为基础,抽出主成分之主成分抽出部;以及以该抽出部所抽出之主成分的变动的偏差为基础,检测处理之异常之异常检测部,于前述模型式产生部没有产生模型式之情形,前述异常检测部在检测异常时,停止处理。8.如申请专利范围第1项记载之半导体处理装置,其中具备:保存前述传感器资料之传感器资料保存部以及保存输入处理结果输入手段之处理结果之处理结果量测値保存部,前述模型式产生部以保存在前述各保存部之传感器资料以及量测値为基础,产生前述模型式,将产生之模型式保存在模型式保存部。9.一种半导体处理装置的控制方法,其系利用监视处理处理对象之半导体处理装置的处理状态之传感器,控制半导体处理装置之处理对象的处理之方法,其特征为包含以下之步骤:输入藉由前述半导体处理装置所处理之半导体对象的处理结果之量测値;依据前述传感器所取得之传感器资料以及前述量测値,将前述传感器资料当成说明变数使用,产生预测处理结果之模型式;依据前述模型式以及前述传感器资料,预测半导体对象之处理结果;比较前述预测之处理结果与预先设定之设定値,依据该比较结果,补正其之偏差地,控制前述半导体处理装置的处理条件。10.如申请专利范围第9项记载之方法,其中前述模型式产生步骤系利用PLS法(Partial Least Square method:部位最少平方法)以产生模型式。11.如申请专利范围第9项记载之方法,其中前述模型式产生步骤系利用坚固回归分析法(RobustRegression)以产生模型式。12.如申请专利范围第9项记载之方法,其中前述模型式产生步骤系利用主成分坚固回归分析法(Principal Component Robust Regression)以产生模型式。13.一种半导体处理装置的监视方法,其系利用监视处理处理对象之半导体处理装置的处理状态之传感器,监视在半导体处理装置之处理对象的处理之方法,其特征为包含以下之步骤:输入藉由前述半导体处理装置所处理之半导体对象的处理结果之量测値;依据前述传感器所取得之传感器资料以及前述量测値,将前述传感器资料当成说明变数使用,产生预测处理结果之模型式;依据前述模型式以及前述传感器资料,预测处理结果;显示前述预测之预测値,或该预测値与预先设定之设定値之偏差。14.一种半导体处理监视方法,其系利用监视处理半导体晶圆之半导体处理装置的处理状态之复数的传感器,监视半导体处理装置之半导体晶圆的处理用之半导体处理监视方法,其特征为包含以下之步骤:依据该复数的传感器所取得之复数的传感器资料,抽出主成分;依据该抽出部所抽出之主成分的变动之偏差,检测处理之异常。15.如申请专利范围第9项记载之方法,其中依据前述复数的传感器所取得之复数的传感器资料,抽出主成分;依据该抽出部所抽出之主成分的变动的偏差,检测处理之异常,以及于前述模型式步骤中没有产生模型式之情形,前述异常检测步骤在检测异常时,停止处理。16.如申请专利范围第9项记载之方法,其中具备:保存前述传感器资料之传感器资料保存步骤,以及保存输入处理结果输入步骤之处理结果之处理结果量测値保存步骤,前述模型式产生步骤系依据保存在前述各保存步骤之传感器资料以及量测値以产生前述模型式。图式简单说明:图1A系显示本发明之1实施例之半导体装置的处理装置之控制系统的方块图。图1B系显示图1A之控制系统的修正例之方块图。图2系显示图1之处理状态监视部之别的实施例之方块图。图3系显示副处理状态监视部之实施例之方块图。图4系显示装置之处理状态的监视方法之例的流程图。图5A系说明模型产生部之动作用之流程图。图5B系例示n片之晶圆的处理结果量测値之预测法之表。图6系说明无异常资料之预测模型产生法之图。图7系模型式至作用之流程图。图8系说明处理条件控制部之补正动作用之表。图9系说明处理条件产生部之动作用之流程图。图10系说明处理条件之控制方向用之图。