| 主权项 |
1.一种互补式金氧半场效电晶体制程之洁净方法,包括下列步骤:提供一单一化学洗净溶液,其中该化学洗净溶液之配方为在NH4OH:H2O2:H2O=0.01-1:1:5中加入0.001-0.1之TMAH及10-200ppm之EDTA;使用该化学洗净溶液对一晶圆进行起始洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行第零层洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行N井离子布植后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行P井离子布植后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行区域氧化制程后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行N区域离子布植后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行氧化制程后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行垫氧化层去除后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行氧化层去除后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行P、N反向及起始电压离子布植后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行前闸极氧化层形成后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行复晶矽蚀刻后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行N淡掺杂汲极及P淡掺杂汲极后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行闸极间隔层形成后洗净;使用该化学洗净溶液对该晶圆进行N+源/汲极及P+源/汲极形成后洗净;以及使用该化学洗净溶液对该晶圆进行前矽化物形成后洗净。2.如申请专利范围第1项所述之洁净方法,其中该等洗净制程系在45-65℃下进行。3.如申请专利范围第1项所述之洁净方法,其中该等洗净制程清洗时间为3-10分钟。4.如申请专利范围第3项所述之洁净方法,其中该等洗净制程清洗时间为5分钟。5.如申请专利范围第1项所述之洁净方法,其中该等洗净制程包括以一去离子水对该晶圆进行清洗。6.如申请专利范围第1项所述之洁净方法,其中在该等洗净制程后包括对该晶圆进行乾燥以去除水分。7.一种互补式金氧半场效电晶体制程之洁净方法,包括下列步骤:提供一单一化学洗净溶液,其中该化学洗净溶液之配方为在NH4OH:H2O2:H2O=0.01-1:1:5中加入0.001-0.1之TMAH及10-200ppm之EDTA;以及使用该化学洗净溶液应用于互补式金氧半场效电晶体之各洗净制程中。8.如申请专利范围第7项所述之洁净方法,其中该等洗净制程系在45-65℃下进行。9.如申请专利范围第7项所述之洁净方法,其中该等洗净制程清洗时间为3-10分钟。10.如申请专利范围第9项所述之洁净方法,其中该等洗净制程清洗时间为5分钟。11.如申请专利范围第7项所述之洁净方法,其中该等洗净制程包括以一去离子水对该晶圆进行清洗。12.如申请专利范围第7项所述之洁净方法,其中在该等洗净制程后包括对该晶圆进行乾燥以去除水分。图式简单说明:第1图为传统用于半导体晶圆之化学洗净站之内部示意图。第2图为本发明之一实施例中,用于半导体晶圆之化学洗净方法之流程图。第3图为本发明之一实施例中,用于半导体晶圆之化学洗净站之内部示意图。第4a图及第4b图为互补式金氧半场效电晶体之各制程之化学洗净制程之流程图。 |
