| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:杂质扩散层,系形成于既定导电型半导体基板或井之表面区域,与前述半导体基板或前述井为逆导电型;以及元件分离用绝缘膜,系离开前述杂质扩散层而形成之膜;前述杂质扩散层端部与前述元件用分离用绝缘膜端部间之距离,系规定在1.2m以上。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,系由前述杂质扩散层与前述半导体基板或井来形成定电压元件。3.一种半导体装置,其特征在于,具备:杂质扩散层,系形成于既定导电型半导体基板或井之表面区域,与前述半导体基板或前述井为逆导电型;元件分离用绝缘膜,系离开前述杂质扩散层而形成之膜;以及电极,至少透过较前述元件分离用绝缘膜为薄之绝缘膜形成,其终端系位于前述杂质扩散层端部与前述元件分离用绝缘膜端部的中间。4.如申请专利范围第3项中之半导体装置,系由前述杂质扩散层与前述半导体基板或井来形成定电压元件。5.如申请专利范围第3项中之半导体装置,其中,前述电极系以包围前述杂质扩散层之方式形成。6.如申请专利范围第3项中之半导体装置,其中,前述薄绝缘膜系以2次以上的步骤形成。7.一种半导体装置,其特征在于,具备:杂质扩散层,系形成于既定导电型半导体基板或井之表面区域,与前述半导体基板或前述井为逆导电型;元件分离用绝缘膜,系离开前述杂质扩散层而形成之膜;以及电极,系至少透过较前述元件分离用绝缘膜为薄之绝缘膜形成,其终端系位于前述杂质扩散层端部与前述元件分离用绝缘膜端部的中间;前述杂质扩散层端部与前述元件用分离用绝缘膜端部间之距离,系规定在1.2m以上。8.如申请专利范围第7项中之半导体装置,其中,系由前述杂质扩散层与前述半导体基板或井来形成定电压元件。9.如申请专利范围第7项中之半导体装置,其中,前述电极系以包围前述杂质扩散层之方式形成。10.如申请专利范围第7项中之半导体装置,其中,前述薄绝缘膜系以2次以上的步骤形成。图式简单说明:图1为本发明之第1实施形态之半导体积体电路装置中,形成箝位二极体部分构成例之截面图。图2为图1所示之箝位二极体部分之俯视图。图3为在本发明之第1实施形态中,箝位二极体之箝位电压之经时变动之图。图4为本发明之第2实施形态之半导体积体电路装置中,形成箝位二极体部分构成例之截面图。图5为图4所示之箝位二极体部分之俯视图。图6为习知之箝位二极体之截面图。图7为习知箝位二极体之箝位电压之经时变动之图。 |
