| 主权项 |
1.一种用于形成有机发光二极体元件的方法,其包括:于基板上形成元件层;将该元件层制作成图形以便沿着该基板上第一方向形成墩柱,其中墩柱都包括有锥状轮廓;使该基板涂覆有包括有溶解于溶剂内的有机功能性层,其中墩柱对该溶剂而言系呈惰性的;去除该溶剂以形成有机功能性层;以及将导电层沈积于该基板上,其中墩柱的锥状轮廓会将该导电层分开成第一和第二区分部分。2.如申请专利范围第1项之方法,也包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板系包括弹性基板。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该基板系包括沿着其表面上第二方向的电极。5.如申请专利范围第4项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该功能性有机层系包括溶解于溶剂内的共轭聚合物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。8.如申请专利范围第3项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板系包括沿着其表面上第二方向的电极。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该功能性有机层系包括溶解于溶剂内的共轭聚合物。11.如申请专利范围第10项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该OLED元件。12.如申请专利范围第11项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。13.如申请专利范围第1项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。14.如申请专利范围第13项之方法,其中又包括将顶盖装设于该基板上以便依气密方式封装该有机发光二极体元件。15.如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.或14项之方法,其中该元件层系包括光敏元件层,该光敏层系藉由对该光敏元件层施行曝光及显影而制作成图形。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该光敏层系包括正性光敏层,其中系于显影期间将该光敏层的经曝光部分去除掉。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该曝光作业系包括接续地使该光敏层接受具有不同能量以及不同穿透深度之电子或带电粒子的曝光作用,以便于显影期间形成锥状轮廓。18.如申请专利范围第17项之方法,其中包括烘烤各墩柱使各墩柱变成对该溶剂呈惰性的。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。21.如申请专利范围第18项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。22.如申请专利范围第18项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。23.如申请专利范围第16项之方法,其中该曝光作用系包括使该光敏层之上边区域曝露在比该光敏层之下边区域更小量额的能量下,以便于显影期间形成锥状轮廓。24.如申请专利范围第23项之方法,其中包括烘烤各墩柱使各墩柱变成对该溶剂呈惰性的。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。26.如申请专利范围第24项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。27.如申请专利范围第24项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。28.如申请专利范围第24项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。29.如申请专利范围第16项之方法,其中包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。30.如申请专利范围第29项之方法,其中该烘烤作业系包括热学烘烤。31.如申请专利范围第29项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。32.如申请专利范围第29项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。33.如申请专利范围第29项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。34.如申请专利范围第15项之方法,其中该曝光作业系包括接续地使该光敏层接受具有不同能量以及不同穿透深度之电子或带电粒子的曝光作用,以便于显影期间形成锥状轮廓。35.如申请专利范围第34项之方法,其中包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。36.如申请专利范围第35项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。37.如申请专利范围第35项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。38.如申请专利范围第35项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。39.如申请专利范围第35项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。40.如申请专利范围第15项之方法,系包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。41.如申请专利范围第40项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。42.如申请专利范围第40项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。43.如申请专利范围第40项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。44.如申请专利范围第40项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。45.如申请专利范围第15项之方法,其中该光敏层系包括负性光敏层,其中系于显影期间将该光敏层的未经曝光部分去除掉。46.如申请专利范围第45项之方法,其中该曝光作业系包括接续地使该光敏层接受具有不同能量以及不同穿透深度之电子或带电粒子的曝光作用,以便于显影期间形成锥状轮廓。47.如申请专利范围第46项之方法,系包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。48.如申请专利范围第47项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。49.如申请专利范围第47项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。50.如申请专利范围第47项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。51.如申请专利范围第47项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。52.如申请专利范围第45项之方法,其中该曝光作用系包括使该光敏层之上边区域曝露在比该光敏层之下边区域更大量额的能量下,以便于显影期间形成锥状轮廓。53.如申请专利范围第52项之方法,其中包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。54.如申请专利范围第53项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。55.如申请专利范围第53项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。56.如申请专利范围第53项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。57.如申请专利篱围第53项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。58.如申请专利范围第45项之方法,其中包括烘烤墩柱使墩柱变成对该溶剂呈惰性的。59.如申请专利范围第57项之方法,其中该烘烤作业系包括热烘烤。60.如申请专利范围第57项之方法,其中该烘烤作业系包括UV烘烤。61.如申请专利范围第57项之方法,其中该烘烤作业系包括电子束烘烤。62.如申请专利范围第57项之方法,其中该烘烤作业系包括粒子烘烤。图式简单说明:第1图显示的是一种习知OLED元件。第2图显示的是一种根据本发明的实施例。第3到7图显示的是一种根据本发明某一实施例用于制造OLED元件的方法。 |
