| 主权项 |
1.一种具有杂质试样的多掺杂的方法,在制造半导体装置时,这些杂质试样的r(主体及杂质的共价原子半径差)其符号相反,以允许紧密适配该试样之平均共价半径,因此可减少应变,而增加施体或受体的可溶性。2.如申请专利范围第1项之方法,其使用在以GaN、AlN或InN为基础之半导体装置的制造程序中。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中对于在一以GaN为基础之半导体装置中的P型掺杂,所选择的掺杂剂系比包含在半导体材料中的最低之一或数个元素还要低的项目中选择出来,而共掺杂剂则从包含在半导体材料中最低之一或数个元素的同一群选择出来。4.如申请专利范围第3项之方法,其中对于GaN为基础的半导体装置,受体可为Be、Mg、Zn及Cd中至少一项,而共掺杂剂则为B、Al及In中至少一项。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中对于GaN为基础的半导体装置,受体可为Be、Mg、Zn及Cd中至少一项,而共掺杂剂则为B、Al及In中至少一项。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中对于在以GaN为基础之半导体装置中的P型掺杂而言,该掺杂剂及共掺杂剂可从比半导体材料中最低之一或数个元素还要低的一群中选择出来。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该掺杂剂为Mg+Be,共掺杂剂为Mg+Cd。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中对于在以GaN为基础之半导体装置中的N型掺杂而言,掺杂可以Ge及2Ge+Zn中之一项或两者来实施。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于各掺杂剂的比率会依据一导电层的厚度而变化,藉以提供导电性具梯度变化、调变导电性具矩形或弦波周期性、或其他需求导电性分布之一材料层。10.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于各掺杂剂的比率会依据一导电层的厚度而变化,藉以提供导电性具梯度变化、调变导电性具矩形或弦波周期性、或其他需求导电性分布之一材料层。11.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于各掺杂剂的比率会依据一导电层的厚度而变化,藉以提供导电性具梯度变化、调变导电性具矩形或弦波周期性、或其他需求导电性分布之一材料层。12.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于各掺杂剂的比率会依据一导电层的厚度而变化,藉以提供导电性具梯度变化、调变导电性具矩形或弦波周期性、或其他需求导电性分布之一材料层。13.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于各掺杂剂的比率会依据一导电层的厚度而变化,藉以提供导电性具梯度变化、调变导电性具矩形或弦波周期性、或其他需求导电性分布之一材料层。 |
