| 主权项 |
1.一种单片式基板洗净方法,其系在经密闭的洗净室内,分别将晶圆一片片于无晶舟情况下进行湿式洗净,其特征在于:在乾燥程序中,一边对晶圆表面供给防止氧化用的非活性气体,一边将该晶圆依高速予以支撑回转而旋转乾燥,同时对该晶圆表面的非活性气体供给量,系设定成晶圆外侧周围部分较中心部份为多。2.如申请专利范围第1项之单片式基板洗净方法,系在该晶圆表面周围形成乾燥用密闭空间,并供给该非活性气体,而充满该乾燥用密闭空间。3.如申请专利范围第1项或第2项之单片式基板洗净方法,其中该非活性气体系氮气。4.一种单片式基板洗净装置,其系在经密闭的洗净室内,分别将晶圆一片片于无晶舟情况下进行湿式洗净,其特征在于:乃具备有:在可密闭的洗净室内,可将单片晶圆依水平状态支撑回转的基板回转机构;在该基板回转机构的外缘,形成回转支撑于基板回转机构上之晶圆的洗净处理用空间之洗净腔;对回转支撑于该基板回转机构上之晶圆表面,供给洗净液的药液供给机构;以及对回转支撑于该基板回转机构上之晶圆表面,供给防止氧化用非活性气体的非活性气体供给机构;该非活性气体供给机构的供给口,系依对该晶圆表面的非活性气体供给量,设计成晶圆的外侧周围部分较表面中心部分为多的构造。5.如申请专利范围第4项之单片式基板洗净装置,其中该非活性气体供给机构系具备有与该洗净腔共同动作,而设置于回转支撑于该基板回转机构的晶圆表面周围所形成乾燥用密闭空间的圆形盖体型态之气体喷出部;而该气体喷出部系内部形成非活性气体供给源的扁平中空形状,且其平面底部设有该供给口。6.如申请专利范围第5项之单片式基板洗净装置,其中该气体喷出部供给口,系由与回转支撑于该基板回转机构上之晶圆表面,呈同心轴射状配置的多数喷射开口所构成,而该等喷射开口的总计开口面积,系设定为随由该晶圆中心部位朝外侧周围部分方向而变大。7.如申请专利范围第6项之单片式基板洗净装置,其中该喷射开口的开口面积,系依使由该晶圆中心部位朝外侧周围部分方向而变大的方式设定。8.如申请专利范围第6项之单片式基板洗净装置,其中该喷射开口的配置数量,系设定成使由该晶圆中心部位朝外侧周围部分方向而增多的方式。9.如申请专利范围第5-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该气体喷出部的中空内部中,隔设有阻止非活性气体直接流向于该供给口中央部位的阻障板组件。10.如申请专利范围第5-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该气体喷出部系在与该洗净腔共同动作的使用位置,与未干涉该药液供给部之使用待机位置之间,进行上下方向的移动。11.如申请专利范围第9项之单片式基板洗净装置,其中该气体喷出部系在与该洗净腔共同动作的使用位置,与未干涉该药液供给部之使用待机位置之间,进行上下方向的移动。12.如申请专利范围第4-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该处理腔系相对该基板回转机构,可进行相对上下方向升降动作,同时在该洗净室内周所形成该洗净处理用空间的环状洗净槽,系依包围支撑于该基板回转机构上之基板的方式,同心状且上下方向排列复数段,并对应洗净处理程序,该等圆环状洗净槽中任一者,便利用朝该洗净腔上下方向的升降动作,而移动定位于对应支撑于该基板回转机构上基板之位置。13.如申请专利范围第4-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该洗净腔系该圆环状处理槽内径缘与该基板回转机构之基板支撑部外径缘并无接触,且形成于该等二缘间的环状间隙,系设定成可阻止洗净液等泄漏于下侧程度的微小间隔。14.如申请专利范围第4-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该药液供给部4,系由上端将洗净液喷射供给于回转支撑于该基板回转机构上的晶圆W表面的喷射喷嘴型态;该喷射喷嘴系设置成可依朝下状态水平回转,并相对于依水平状态回转支撑于该基板回转机构上的晶圆表面,由外缘横跨中心,一边进行水平回旋(或水平回旋静止后),将洗净液喷射供给的构造。15.如申请专利范围第4-8项中任一项之单片式基板洗净装置,其中该非活性气体系氮气。图式简单说明:第1图系本发明一实施态样之单片式基板洗净装置内部构造的正面剖视图。第2图系同基板洗净装置中之基板回转部与非活性气体供给部的配置关系之剖面放大正视图。第3图系同样为基板回转部与非活性气体供给部之乾燥程序中配置关系的剖面放大正视图。第4(a)、4(b)、4(c)图系同样的非活性气体供给部中之气体喷出部的喷射开口具体构造底视图。第5图系同样的支撑于基板回转部之基板支撑部上的晶圆表面周围环境,在常态下的氧浓度分布图。 |
