| 主权项 |
1.一种离子植入装置,系包含有:内部呈真空状态的靶室;产生离子束并对该靶室内照射该离子束的离子束产生元件;配设于该靶室内,在将经该离子束产生元件所照射离子束予以阻断的位置,与避开该离子束照射的位置之间,进行移动并供承载晶圆用的晶圆承载体;配设于该靶室与该离子束产生元件之间,且供通过或阻断来自该离子束产生元件之离子束的开关元件;开闭该开关元件的驱动元件;以及当从该晶圆承载体上取出晶圆时,便控制该驱动元件关闭该开关元件的控制元件。2.如申请专利范围第1项之离子植入装置,其中该控制元件系当该晶圆承载体位于避开受该离子束照射之位置处时,经该离子束产生元件产生离子束,并当从该晶圆承载体取出晶圆时,便控制该驱动元件关闭该开关元件。3.如申请专利范围第1项之离子植入装置,其中该控制元件系在使该晶圆承载体移动至避开该离子束照射位置处之后,再使该晶圆承载体回归于阻断该离子束的位置处之间,在维持该离子束照射的情况下,从该晶圆承载体中取出已完成离子植入的晶圆之前,便控制该驱动元件关闭该开关元件,且已取出该晶圆的该晶圆承载体中,接着继续承载应施行离子植入的晶圆之后,再控制该驱动元件开启该开关元件。4.如申请专利范围第1项之离子植入装置,其中该控制元件系在使该晶圆承载体移动至避开该离子束照射位置处之后,再使该晶圆承载体回归于阻断该离子束的位置处之间,在维持该离子束照射的情况下,从该晶圆承载体中取出已完成离子植入的晶圆之前,控制该驱动元件关闭该开关元件,且在已取出该晶圆的该晶圆承载体中承载假晶圆后,便控制该驱动元件开启该开关元件。5.如申请专利范围第1项之离子植入装置,系具备有:邻接该靶室而配置,并使内部置真空的承载室;及供在该承载室与该晶圆承载体之间进行晶圆收授的晶圆搬运元件。6.如申请专利范围第5项之离子植入装置,其中该控制元件系在使该晶圆承载体移动至避开该离子束照射位置处之后,再使该晶圆承载体回归于阻断该离子束的位置处之间,于维持该离子束照射的情况下,在关闭该开关元件之后,便控制该驱动元件与该晶圆搬运元件,俾从该晶圆承载体中取出已完成离子植入的晶圆;在从该晶圆承载体中取出已完成该离子植入的晶圆之后,当检测出在该承载室内有应继续施行离子植入的晶圆时,在将该应施行离子植入的晶圆承载于该晶圆承载体之后,便控制该驱动元件与该晶圆搬运元件开启该开关元件;且在从该晶圆承载体中取出已完成该离子植入的晶圆之后,当并未检测出在该承载室内有应继续施行离子植入的晶圆时,在将假晶圆承载于该晶圆承载体之后,便开启该开关元件;其次,当检测出该承载室内已补充有应施行离子植入的晶圆时,便于关闭该开关元件后,再将该假晶圆从该晶圆承载体中取出,并使该应施行离子植入的晶圆承载于该晶圆承载体中,且控制该驱动元件与该晶圆搬运元件开启该开关元件。7.一种离子植入方法,系使用具备有:内部呈真空状态的靶室;产生离子束并对该靶室内照射该离子束的离子束产生元件;配设于该靶室内,在将该离子束产生元件所照射离子束予以阻断的位置,与避开该离子束照射的位置之间,可进行移动且供保持晶圆用的晶圆承载体;配设于该靶室与该离子束产生元件之间且供通过或阻断来自该离子束产生元件之离子束的开关元件;的离子植入装置施行离子植入的方法;系包括有:利用该离子束产生元件产生离子束,并照射于该靶室内的第1步骤;在该晶圆承载体上承载应施行离子植入的晶圆之后,再开启该开关元件的第2步骤;使该晶圆持载体移动至阻断该离子束的位置处,并对该晶圆施行离子植入的第3步骤;使该晶圆承载体移动至避开该离子束的位置处,并结束对该晶圆的离子植入,待该俾该开关元件后,再从该晶圆承载体中取出该晶圆的第4步骤;维持照射该离子束并重复施行该第2-第4步骤。8.如申请专利范围第7项之离子植入方法,系更包括有:在第4步骤之后,将假晶圆承载于该晶圆承载体之后,再开启该开关元件的第5步骤;及在开启该开关元件后,从该晶圆承载体中取出该假晶圆的第6步骤;维持照射该离子束并重复施行该第2-第6步骤。图式简单说明:第1图系本发明之离子注入装置其中一实态样的概略示意图。第2图系第1图所示离子注入装置之立体示意图。第3图系第1图所示质量质量分析系统具体构造之立体示意图。第4图系第1图所示晶圆承载装置之臂部平面图。第5图系第4图之V-V线剖面示意图。第6图系采用第1图所示控制元件之离子注入装置的处理顺序流程图。 |
