电光装置及电子设备

摘要

提供具有高操作性能及高可靠度之电光装置，及提供包含电光装置之电子设备。藉由将与闸电极重叠的LDD区设置于形成驱动电路的H通道TFT中，可实现强力抗热载子注入之 TFT结构。此外，藉由将不与闸电极重叠的LDD区设置于形成像素区的像素TFT中，可实现具有低的关闭电流值之TFT结构。此外，电光装置在相同绝缘体上具有记忆区，记忆区具有记忆电晶体及储存资料。

主权项

1.一种行动电话,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。2.一种行动电话,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。3.一种摄影机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;一记忆体,具有一记忆电晶体;及其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。4.一种摄影机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。5.一种行动电脑,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中;LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。6.一种行动电脑,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。7.一种护目镜型显示器,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。8.一种护目镜型显示器,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。9.一种投影机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。10.一种投影机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。11.一种个人电脑,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。12.一种个人电脑,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。13.一种电子游戏设备,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。14.一种电子游戏设备,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。15.一种数位相机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体;其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。16.一种数位相机,包括:一驱动电路,具有n通道TFT,其中,LDD区的一部份、或整个LDD区系形成为与闸电极重叠,其间包夹有一第二闸绝缘膜;一像素,具有像素TFT,其中,LDD区系形成为不会与闸电极重叠,但其间包夹有该第二闸绝缘膜;及一记忆体,具有一记忆电晶体,该记忆电晶体包含主动层、第一闸绝缘膜、浮动闸电极、第三闸绝缘膜、及一控制闸电极,其中该驱动电路、该像素及该记忆体均形成于相同绝缘体上。图式简单说明:图1系显示像素区、驱动电路、及记忆区的结构;图2A至2E系显示像素区、驱动电路、及记忆区的制程;图3A至3E系显示像素区、驱动电路、及记忆区的制程;图4A至4D系显示像素区、驱动电路、及记忆区的制程;图5A至5C系显示像素区、驱动电路、及记忆区的制程;图6系主动矩阵型液晶显示装置的剖面结构图;图7系主动矩阵型液晶显示装置的立体视图;图8系显示驱动电路;图9A及9B系显示像素区;图10A及10B系显示像素区、驱动电路、及记忆区的结构;图11系显示像素区;图12系显示像素区、驱动电路、及记忆区的结构;图13A及13B系显示快闪记忆体的结构;图14A及14B系显示快闪记忆体的结构;图15系主动矩阵基底的方块图;图16系主动矩阵基底的方块图;图17系显示主动矩阵型EL显示装置的结构;图18A及18B系分别显示EL显示装置的上表面结构及剖面结构;图19系显示EL显示装置的剖面结构;图20A及20B系显示EL显示装置的像素区之上表面结构;图21系显示EL装置的剖面结构;图22A至22C系显示EL显示装置的像素区之电路结构;图23A及23B系显示EL显示装置的像素区之电路结构;图24A及24B系显示EL显示装置之电路结构;图25A至25F系显示电子设备的实施例;图26A至26D系显示电子设备的实施例;及图27A和27B系显示光引擎的结构。