| 主权项 |
1.一种干涉滤波片,适用于高密度多波分工器中之窄带通滤波片,该干涉滤波片至少包括:一基板;复数个反射镜层,该些反射镜层系配置该基板上,且每一该些反射镜层系由复数层第一介电层与复数层第二介电层所构成,其中,该些第一介电层之材质为一钛氧化物与一矽氧化物混合薄膜;以及复数个空间层,每一该些空间层系配置于二反射镜层间以形成一空腔。2.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,其中该些第二介电层之折射系数系小于该些第一介电层之折射系数。3.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,其中该些第一介电层与该些第二介电层之厚度为四分之一波长光学厚度。4.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,其中该些空间层之厚度为二分之一波长光学厚度之整数倍。5.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,系以离子束溅镀法镀制。6.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,系以离子束辅助法镀制。7.如申请专利范围第1项所述之干涉滤波片,其中该些第一介电层与该些第二介电层系交互堆叠。图式简单说明:第1图绘示TiO2光学膜不添加SiO2以及不同添加量SiO2之情形下,个别光学膜之消光系数与退火温度两者之间的实验数据图;第2图绘示在各种不同的SiO2掺杂量下,在不同的退火温度下的光学膜之截止波长(cut-off wavelength)的分布图;第3图绘示在各种不同的SiO2掺杂量下,在不同的退火温度下进行退火制程24小时的X-射线的相对绕射强度比;第4图绘示在各种不同的SiO2掺杂量下,在不同的退火温度下的表面粗糙度;以及第5A图绘示在不添加SiO2之情形,退火温度为150℃之TiO2光学膜之表面的结构图;第5B图绘示在不添加SiO2之情形,退火温度为225℃之TiO2光学膜之表面的结构图;第5C图绘示在添加SiO2之量为17%的情形下,且退火温度为400℃之TiO2-SiO2光学混合膜的表面结构图;第6图绘示为依照本发明一较佳实施例高密度多波分工器之结构示意图;第7图绘示为依照本发明一较佳实施例高密度多波分工器中干涉滤波片之示意图;第8A图绘示为习知以Ta2O5作为高折射系数层之穿透光谱图;以及第8B图至第8D图分别绘示为依照本发明一较佳实施例以各种不同的SiO2掺杂量之混合膜作为高折射系数层之穿透光谱图。 |
