| 主权项 |
1.一种复合基板,系在具电性绝缘的基板上,依序形成有电极与介电质层的复合基板;其特征在于:该复合基板热膨胀系数,为10~20ppm/K-1者。2.如申请专利范围第1项之复合基板,其中该基板系以镁氧、冻石(MgOSiO2)、或镁橄榄石(2MgOSiO2)中任一者为主成分者。3.如申请专利范围第1项之复合基板,其中该介电质层系以钛酸钯(BaTiO3)为主成分的陶瓷烧结体。4.如申请专利范围第2项之复合基板,其中该介电质层系以钛酸钯(BaTiO3)为主成分的陶瓷烧结体。5.如申请专利范围第4项之复合基板,其中该介电质层系含有由氧化锰(MnO)、氧化镁(MgO)、氧化钨(WO3)、氧化钙(CaO)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、及氧化钴(Co2O3)中任选其中一种或二种以上的氧化物者。6.如申请专利范围第3项之复合基板,其中该介电质层系包含有由稀土族元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、及Lu)之元素的氧化物中任选其中一种或二种以上者。7.如申请专利范围第4项之复合基板,其中该介电质层系包含有由稀土族元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、及Lu)之元素的氧化物中任选其中一种或二种以上者。8.如申请专利范围第5项之复合基板,其中该介电质层系包含有由稀土族元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、及Lu)之元素的氧化物中任选其中一种或二种以上者。9.如申请专利范围第3~8项中任一项之复合基板,其中该介电质层系包含有由氧化矽(SiO2)所形成之玻璃成分者。10.一种电激发光元件,在具电性绝缘的基板上,依序形成有电极与介电质层,该复合基板热膨胀系数,为10~20ppm/K之任一复合基板上,至少含有发光层与第2电极。11.如申请专利范围第10项之电激发光元件,系在发光层与第2电极之间,更进一步包含有第2绝缘层。12.如申请专利范围第10项之电激发光元件,其中该基板系以镁氧、冻石(MgOSiO2)、或镁橄榄石(2MgOSiO2)中任一者为主成分者。13.如申请专利范围第10项之电激发光元件,其中该介电质层系以钛酸钯(BaTiO3)为主成分的陶瓷烧结体。14.如申请专利范围第10项之电激发光元件,其中该介电质层系含有由氧化锰(MnO)、氧化镁(MgO)、氧化钨(WO3)、氧化钙(CaO)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、及氧化钴(Co2O3)中任选其中一种或二种以上的氧化物者。15.如申请专利范围第10项之电激发光元件,其中该介电质层系包含有由稀土族元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、及Lu)之元素的氧化物中任选其中一种或二种以上者。16.如申请专利范围第13项之电激发光元件,其中该介电质层系包含有由稀土族元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、及Lu)之元素的氧化物中任选其中一种或二种以上者。17.如申请专利范围第10项之电激发光元件,其中该介电质层系包含有由氧化矽(SiO2)所形成之玻璃成分者。图式简单说明:第1图系本发明EL元件之结构例的概略剖面示意图。第2图系习知EL元件之结构例的概略剖面示意图。 |
