发明名称 氧化铟锡薄膜及其制备方法、含其的阵列基板、显示装置
摘要 一种氧化铟锡薄膜及其制备方法、包含该氧化铟锡薄膜的阵列基板和显示装置。其中该氧化铟锡薄膜的制备方法包括:步骤A:制备分立的氧化铟靶材和锡靶材;以及步骤B:在同一沉积腔室中,由所述氧化铟靶材和锡靶材分别产生氧化铟粒子和锡粒子,该氧化铟粒子和锡粒子在基体上共同形成氧化铟锡薄膜。本发明的制备方法通过制备分立的氧化铟靶材和锡靶材,避免靶材重复制备,溅射工艺不用重新开始(如中途不用重新打开真空腔);相比于传统制备方法的研磨、烧结制备不同锡含量靶材的单靶材镀膜的方式,有效缩短了开发周期,且薄膜中锡含量的控制更加便捷,节省了开发成本;可应用于各种显示装置的制备。
申请公布号 CN106086797A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610545577.X 申请日期 2016.07.12
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示光源有限公司 发明人 张启平;孙文波;钱叶甲
分类号 C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 C23C14/28(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 曹玲柱
主权项 一种氧化铟锡薄膜的制备方法,其特征在于,包括:步骤A:制备分立的氧化铟靶材和锡靶材;以及步骤B:在同一沉积腔室中,由所述氧化铟靶材和锡靶材分别产生氧化铟粒子和锡粒子,该氧化铟粒子和锡粒子在基体上形成氧化铟锡薄膜。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号