低介电系数介电层的制造方法

摘要

一种低介电系数介电层的制造方法，于形成有金属线之基底上形成一层二氧化矽层，同时于二氧化矽层中产生低且宽型状的孔洞。然后，进行回蚀步骤以暴露高度高于金属线的孔洞，再形成一层二氧化矽层，避免化学机台研磨时造成研磨液残留之问题。所完成的介电层于金属线间具有孔洞，因此介电系数比不具孔洞之介电层还要低。

主权项

1.一种低介电系数介电层的制造方法,该方法至少包括:提供一基底;于该基底上形成复数条金属线;于该基底上形成一第一二氧化矽层,该第一二氧化矽层具有复数个孔洞;进行一回蚀步骤,暴露出高度超过该些金属线之该些孔洞,并保持位于该些金属线间之该些孔洞;以及形成一第二二氧化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中形成该第一二氧化矽层的方法包括电浆加强型化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中该回蚀步骤包括乾蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中形成该第二二氧化矽层的方法包括以矽酸四乙酯为先驱物,进行电浆加强型化学气相沈积步骤。5.一种低介电系数介电层的制造方法,该方法至少包括:提供一基底;于该基底上形成复数条金属线;于该基底上形成一第一二氧化矽层,同时于该第一二氧化矽层于该些金属线间形成复数个孔洞;以及形成一第二二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中形成该第一二氧化矽层的方法包括电浆加强型化学气相沈积法。7.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中形成该第一二氧化矽层之后,更包括一回蚀步骤,暴露出高度超过该些金属线之该些孔洞,保留该些金属线间的该些个孔洞。8.如申请专利范围第7项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中该回蚀步骤包括乾蚀刻。9.如申请专利范围第1项所述之低介电系数介电层的制造方法,其中形成该第二二氧化矽层的方法包括以矽酸四乙酯为先驱物,进行电浆加强型化学气相沈积步骤。图式简单说明:第1A图~第1D图绘示依照本发明一较佳实施例的一种低介电系数介电层的制造方法剖面示意图。