| 主权项 |
1.一种浆液废水之再利用方法,该浆液废水包含已经被用在制造半导体之抛光步骤中的研磨颗粒结块,该方法系包含下列步骤:将包含在该浆液废水中的该研磨颗粒之结块粉碎;以及运用包含该经粉碎的研磨颗粒之该浆液废水再生一研磨流体,其中该粉碎步骤系运用辗磨步骤、超音波震荡步骤以及增压循环步骤中之至少一者来执行。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该粉碎步骤包括搅拌该浆液废水,以使该经粉碎的研磨颗粒在该浆液废水中被分散。3.如申请专利范围第1项之方法,系进一步包含在该粉碎步骤后的浓缩该浆液废水之步骤。4.如申请专利范围第3项之方法,系进一部包含在该粉碎步骤与该浓缩步骤之间的调节该浆液废水品质之步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该品质调节步骤包括调整在该浆液废水中的研磨颗粒之浓度。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该品质调节步骤包括调整该浆液废水之pH値。7.如申请专利范围第3项之方法,其中该浓缩步骤包括运用一浓缩膜将该浆液废水分离成一浓缩流体与一渗透流体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该浓缩步骤包括藉由调整该浆液废水的温度来控制该浓缩流体的浓度。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该浓缩流体的浓度被控制成大致与一清洁的浆液流体之浓度相同。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该浓缩步骤运用复数个被设置在复数条浓缩路径中之浓缩膜来被执行。11.如申请专利范围第10项之方法,系进一步包含以时间偏离方式运用该渗透流体来清洗复数个浓缩膜之步骤。12.如申请专利范围第7项之方法,系进一步包含运用该渗透流体清洗该浓缩膜之步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该清洗步骤包含将一气体驱至一暂时储存该渗透流体之储存腔室中,致使该渗透流体朝向该浓缩膜被喷出之步骤,并且其中该气体为防止该渗透流体氧化之惰性气体。14.如申请专利范围第7项之方法,系进一步包含过滤该浓缩流体之步骤。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该过滤步骤系运用复数个被设置在复数条过滤路径之过滤器而被执行。16.如申请专利范围第7项之方法,系进一步包含运用该渗透流体配制一清洁的浆液流体之步骤。17.一种用以再利用浆液废水之装置,该浆液废水系包含已经被用在制造半导体之抛光步骤中的研磨颗粒结块,该装置系包含:一破碎机,系用以粉碎包含在该浆液废水中的研磨颗粒之结块;以及一再生单元,系用以运用包含该经粉碎研磨颗粒之该浆液废水来再生一研磨流体,其中该破碎机包括碾磨机、超音波震荡器以及增压循环单元中之至少一者。18.如申请专利范围第17项之装置,其中该破碎机包括一搅拌器,其系用以搅拌该浆液废水,致使该经粉碎的研磨颗粒分散在该浆液废水中。19.如申请专利范围第17项之装置,系进一步包含一个用以浓缩被该粉碎机处理之该浆液废水之浓缩单元。20.如申请专利范围第19项之装置,其中该浓缩单元包括一用以将该浆液废水分离成一浓缩流体与一渗透流体之浓缩膜。21.如申请专利范围第20项之装置,其中该浓缩单元包括复数条分别具有复数个浓缩膜之浓缩路径。22.如申请专利范围第20项之装置,其中该浓缩单元包括:一温度调节器,系用以调整该浆液废水的温度;以及一浓度控制器,系用以控制该温度调节器以控制该浓缩流体的浓度。23.如申请专利范围第22项之装置,其中该浓缩控制器包括一流速检测单元,系用以检测该浓缩流体的流速并用以依据该被检测的流速而控制该温度调节器。24.如申请专利范围第22项之装置,其中该浓度控制器控制该温度调节器,使得该浓缩流体的浓度与一清洁的浆液流体的浓度大致相同。25.如申请专利范围第20项之装置,系进一步包含一条被设置在该浓缩单元与一抛光元件之间之循环通道,用以从该浓缩单元提供作为一经在生的浆液流体之该浓缩流体制该抛光元件。26.如申请专利范围第19项之装置,系进一步包含一被设置在该破碎机与该浓缩单元之间的流体品质调节器,用以从该破碎机接收该浆液废水并调节该浆液废水的品质。27.如申请专利范围第26项之装置,其中该流体品质调节器包括一用以调整该浆液废水中的研磨颗粒之浓度的比重调整单元。28.如申请专利范围第26项之装置,其中该流体调节器包括一用以调整该浆液废水的pH値之pH値调整单元。29.如申请专利范围第20项之装置,系进一步包括一被设置在该浓缩单元下游处之过滤单元,用以过滤该浓缩流体。30.如申请专利范围第29项之装置,其中该过滤单元包括复数条分别具有复数个过滤器之过滤单元。31.如申请专利范围第20项之装置,系进一步包含:一个被设置在该浓缩单元下游处之腔室,用以暂时地储存该渗透流体;以及一回洗单元,系用以运用被储存在该腔室中的该渗透流体清洗该浓缩膜。32.如申请专利范围第31项之装置,其中该回洗单元包括用以驱一气体进入该腔室中之气体清洗器,并且其中该气体为防止该渗透流体氧化之惰性气体。33.如申请专利范围第31项之装置,其中该浓缩单元包括复数条分别具有复数个浓缩膜之浓缩路径,并且该腔室与该回洗单元被设置,以与该等复数个浓缩膜相对应。34.如申请专利范围第20项之装置,系进一步包含一个浆液进料器,系用以从该浓缩单元接收该渗透流体并运用该渗透流体配制一经再生的浆液流体。35.一种破碎机,系用以将一包含在已经被用在半导体之制造中的浆液废水中的研磨颗粒之结块粉碎,该破碎机系包含:一用以储存该浆液废水之槽;以及连结至该槽之一碍磨机、一超音波震荡器、及一增压循环单元之至少一者。36.如申请专利范围第35项之破碎机,系进一步包含一台被连结至该槽上之搅拌器,用以搅拌该浆液废水,致使该经粉碎的研磨颗粒被分散于该浆液废水中。37.一种用以浓缩浆液废水之装置,系包含:一浓缩单元系包括一用以将该浆液废水离分成一浓缩流体与一渗透流体之浓缩膜;一温度调节器,系用以调整该浆液废水的温度;以及一浓度控制器,系用以控制该温度调节器,以控制该浓缩流体的浓度。38.如申请专利范围第37项之装置,其中该浓度控制器包括一用以检测该浓缩流体的流速并依据该被检测的流速来控制该温度调节器之流速检测单元。39.一种用以调节包括研磨颗粒之浆液废水品质之装置,其系包含:一用以储存该浆液废水之槽;以及一用以调整该浆液废水中的该研磨颗粒浓度之比重调整单元。40.一种用以调节包括研磨颗粒之浆液废水品质之装置,其系包含:一用以储存该浆液废水之槽;以及一用以调整该浆液废水的pH値之pH调整单元。41.一种用以洗清浓缩膜之装置,该浓缩膜系用在浓缩一浆液废水、由浓缩该浆液废水所产生之一浓缩流体及一渗透流体上,该装置系包含:一腔室,系用以暂时储存该渗透流体;以及一回洗单元,系用以运用被储存在该腔室中之该渗透流体来清洗该浓缩膜。42.如申请专利范围第41项之装置,其中该回洗单元包括一用以驱一气体进入该腔室中之气体清洗器,并且其中该气体为防止该渗透流体氧化之惰性气体。43.如申请专利范围第41项之装置,其中该浓缩膜包括复数个浓缩膜,并且该腔室与该回洗单元被设置,以与该等复数个浓缩膜相对应。图式简单说明:第1图是根据本发明之一实施例之研磨废水再生工厂的示意图;第2图是第1图之工厂之浆液废水再生单元之示意图;第3图是第1图之工厂之破碎机之示意图。 |
