| 主权项 |
1.一种用于输入/输出静电放电保护之闸极等电位电路,该静电放电保护含有在基板上之输入/输出垫连接的已使用及未使用MOS指状结构,该闸极等电位电路包括:一开关装置,连接该MOS指状结构的闸极;一静电放电检测装置,连接该开关装置;以及一闸极调整电路,连接该MOS指状结构的闸极。2.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该静电放电检测装置包括一调节器以及一充电器。3.如申请专利范围第2项之闸极等电位电路,其中该充电器系PMOS电晶体。4.如申请专利范围第3项之闸极等电位电路,其中该调节器系由二极体串以及一内部电源所组成。5.如申请专利范围第3项之闸极等电位电路,其中该调节器系电阻及电容组成的延迟电路。6.如申请专利范围第2项之闸极等电位电路,其中该充电器系NMOS电晶体。7.如申请专利范围第6项之闸极等电位电路,其中该调节器系电容及电阻组成的延迟电路。8.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该闸极调整电路包括电阻。9.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该闸极调整电路包括传输闸。10.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该闸极调整电路包括另一开关装置。11.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该闸极调整电路包括连接线。12.如申请专利范围第1项之闸极等电位电路,其中该开关装置包括闸极偏压之MOS电晶体。13.一种使输入/输出静电放电保护之已使用及未使用的MOS指状结构之闸极在静电放电事件中等电位之方法,包括下列步骤:产生一静电放电事件讯号;以及响应该静电放电事件讯号而耦合该已使用及未使用的MOS指状结构的闸极。14.如申请专利范围第13项之方法,更包括耦合该MOS指状结构的闸极至一电压。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该静电放电事件讯号的产生包括下列步骤:产生一开启讯号;以该开启讯号开启一充电器;以及从该充电器发出该静电放电事件讯号。图式简单说明:第一图系根据本发明的一个较佳实施例;第二图系第一图中的闸极调整电路的三个实施例,图(a)系显示一电容及电阻所组成的电路,图(b)系使用一开关装置,图(c)系将闸极直接接地;第三图系第一图中的ESD检测装置的两个实施例,图(a)系应用于PMOS充电器,图(b)系应用于NMOS充电器;第四图系第三图中的调节器的实施例,图(a)及图(b)应用于PMOS充电器,图(c)应用于NMOS充电器;第五图系应用在具有分离式电源的积体电路的一个实施例;第六图系应用在具有单一电源的积体电路的一个实施例;第七图系一个ESD装置的电流-电压(I-V)特性曲线;第八图系在I/O垫的三种元件接法,图(a)系闸极接地的NMOS电晶体,图(b)系开启的NMOS电晶体,图(c)系闸极受调变的NMOS电晶体;以及第九图系第八图中的元件各自的电流-电压特性曲线。 |
