具有减少寄生效果之磁阻随机存取记忆体交叉点阵列

摘要

本发明揭示一种架构用于具有减少寄生效果之磁阻随机存取记忆体(MRAM)存储单元300。与MRAM装置之字线310及位元线320平行之金属之额外长度走向提供一写入字线345及一写入位元线355，并自字线与位元线以介电层340及350分隔，该介电层提供写入电流自磁堆叠之电隔离。在写入操作时，字线及位元线所见之寄生电容，电感及电阻可由写入字线345及位元线355之电隔离而降低。字线310及位元线320保持为标准MRAM交叉点阵列架构，及用于MRAM储存单元之内容之读取。