第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法

摘要

本发明之课题在于提供一种降低凹坑的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法。本发明之解决手段在于：将因任何小区域S的缘故，而形成具凹坑P的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体层31(a)。在此若暂时停止磊晶成长，并使基板温度上升一定温度且保持的话，经磊晶成长的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体表面将激活化，而产生所谓的质传。可认为第Ⅲ族氮化物系化合物半导体，将移动至阻碍磊晶成长的倒立六角锥顶点(最低部分)S附近处(b)。若暂时使第Ⅲ族氮化物系化合物半导体覆盖着横向成长的凹坑底部(倒立六角锥顶点)S的话(c)，然后若再度施行第Ⅲ族源、氮源的供应并进行磊晶成长的话，在凹部中将急速的形成第Ⅲ族氮化物系化合物半导体层32(d)，结果便可形成极平坦的c面。

主权项

1.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,系在基板上,采用磊晶成长的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法中,包含有:使第Ⅲ族氮化物系化合物半导体进行磊晶成长的第1步骤;以及暂时停止磊晶原料的供应,将基板温度上升并保持于一定温度的第2步骤;其中,在上述第2步骤中,将上述第1步骤中所形成上述第1的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体表面的凹坑予以埋藏。2.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,其中,上述第2步骤中的一定温度系50℃以上且200℃以下范围的上升幅度。3.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,其中,系接着上述第2步骤之后,具有磊晶成长出与上述第1步骤中所形成者相同之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体的第3步骤。4.如申请专利范围第3项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,其中,上述第3步骤的基板温度系保持于上述第2步骤中所上升后的温度。5.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,其中,上述第1步骤的基板温度系700℃以上且1050℃以下;而上述第2步骤中之上升后的基板温度系900℃以上且1250℃以下。6.如申请专利范围第3至5项中任一项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法,其中,包含有接着上述第3步骤,至少对上述第Ⅲ族氮化物系化合物半导体施行蚀刻处理,而形成点状、条纹状或格子状等岛状态之后,再以岛状态的梯度上段上面与侧面为核,而朝纵向与横向磊晶成长新的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体的步骤。图式简单说明:图1(a)~(d)为本发明具体实施例的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法的步骤剖面示意图。图2(a)~(d)为本发明另一实施例的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法的步骤剖面示意图。图3(a)~(c)为本发明另一实施例的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法的步骤之一部的剖面示意图。图4为具有凹坑之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体的剖面示意图。