| 主权项 |
1.一种电浆处理系统,其包括:一个电浆处理槽;一个连接在处理槽的真空帮浦;一个在处理槽内支撑基材的基材支撑物;一个外侧表面面向基材支撑物的介电隔膜,其中该介电隔膜形成处理槽的器壁;一可移动地安置在介电隔膜开口处之气体注射器,如气体注射器末端暴露在处理槽中,该气体注射器具有许多供应反应气体给处理槽的气体出口,且该气体注射器包含一在该介电隔膜外层之表面;以及一个RF能源,其可诱导性地偶合RF能量通过介电隔膜并进入处理槽以给予反应气体能量使其进入电浆态以处理基材。2.根据申请专利范围第1项之系统,其中此系统是一种高密度电浆化学蒸镀系统或一种高密度电浆蚀刻系统。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中RF能源包括RF天线而且气体注射器朝处理槽内的主要电浆生成区注入反应气体。4.根据申请专利范围第1项之系统,其中气体出口是位于气体注射器的轴端表面上。5.根据申请专利范围第1项之系统,其中气体出口包括一沿着轴方向延伸的中央气体出口和多个沿着相对于轴方向之锐角延伸的角气体出口,其中该轴垂直于基材暴露面。6.根据申请专利范围第1项之系统,其中气体注射器可以次音速、音速或超音速注入反应气体。7.根据申请专利范围第1项之系统,其中气体注射器包括一与介电隔膜内侧表面等高的平面轴端面。8.根据申请专利范围第1项之系统,其中该气体注射器将反应气体送入该槽的中央区域中。9.根据申请专利范围第1项之系统,其中气体注射器包括一密闭末端而且气体出口以相对于平行基材暴露面之平面的锐角方向注入反应气体。10.根据申请专利范围第1项之系统,其中该气体注射器包括至少一个O-环以在气体注射器和介电窗之间提供一种真空密封作用。11.根据申请专利范围第1项之系统,其中RF能源包括平面或非平面螺旋管形式的RF天线以及该气体注射器将反应气体注入槽内主要电浆生成区中。12.一种电浆处理基材的方法,其包括:将基材放在处理槽内的基材支撑物上,其中形成处理槽器壁之介电隔膜外侧表面是面向基材的;由一个可移动地安置在介电隔膜开口处之气体注射器,其将反应气体注入处理槽中,使气体注射器的末端暴露在处理槽内,具有多个气体出口的气体注射器将反应气体注入处理槽中,且该气体注射器包含一在该介电隔膜外层之表面;以及藉诱导性地偶合RF能源所产生的RF能量穿过介电隔膜,并进入处理槽以赋予反应气体能量使其进入电浆态,其中反应气体是与基材暴露面反应的电浆相。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中RF能源包括平面或非平面螺旋管形式的RF天线以及气体注射器将反应气体注入槽内主要电浆生成区中。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中气体出口以异于直接朝向基材暴露面之方向注射反应气体。15.根据申请专利范围第12项之方法,其中气体注射器延伸至介电隔膜内部表面下方而且气体出口从许多方向注入反应气体。16.根据申请专利范围第12项之方法,其中气体注射器可以次音速、音速或超音速注入反应气体。17.根据申请专利范围第12项之方法,其中各个基材在处理槽中藉基材与电浆气体接触进行连续性处理以沈积或蚀刻一层在各基材上。18.根据申请专利范围第12项之方法,其中气体注射器伸入处理槽的中心部份以及气体出口将反应气体注入基材暴露面与介电隔膜内部表面之间的区域。19.根据申请专利范围第12项之方法,其中气体出口包括一个位于气体注射器末端的中央气体出口和许多围绕在中央气体出口周围的气体出口,该气体出口从许多不同的方向注入反应气体。20.根据申请专利范围第12项之方法,其包括经由气体出口注入含氯气体以电浆蚀刻一铝层在基材上,其中各气体出口从不垂直于基材暴露面的方向注入反应气体。21.根据申请专利范围第12项之方法,其包括经由一个垂直于基材暴露面之轴方向的中央气体出口和经由许多围绕在中央出口的角气体出口注入一种含氯和/或溴气体以电浆蚀刻一聚矽层在基材上,该角气体系以朝向相对轴方向之10至60角的方向注入该气体。22.根据申请专利范围第12项之方法,其包括经由一个垂直于基材暴露面之轴方向的中央气体出口和/或经由许多围绕在中央出口的角气体出口注入一种含氟气体以电浆蚀刻一氧化矽层在基材上,该角气体系以朝向相对轴方向之10至60角的方向注入该气体。23.根据申请专利范围第12项之方法,其包括经由一个垂直于基材暴露面之轴方向的中央气体出口和经由许多围绕在中央出口的角气体出口注入一种含氯和/或溴气体以电浆蚀刻一聚矽层在基材上,该角气体系以朝向相对轴方向之10至30角的方向注入该气体。24.根据申请专利范围第12项之方法,其包括经由一个垂直于基材暴露面之轴方向的中央气体出口和/或经由许多围绕在中央出口的角气体出口注入一种含氟气体以电浆蚀刻一氧化矽层在基材上,该角气体系以朝向相对轴方向之10至45角的方向注入该气体。图式简单说明:图1说明一种根据本发明之电浆处理系统;图2a和2b显示诱导性偶合电浆反应器内的气体分布作用,图2a表示利用根据本发明气体注射装置的作用和图2b显示利用惯用气体环装置的作用;图3a-c显示根据本发明气体注射器的设计细节,图3a显示气体注射器的截面,图3b显示气体注射器的透视图和图3c显示气体注射器的轴截面图;图4是由装有一个可提供根据本发明顶部气体注射之气体注射器的300厘米LAM TCPTM电浆反应器与装有可提供侧面气体注射之气体环的相同反应器比较所得到的局部SiClx放射图;图5是由装有一个可提供根据本发明顶部气体注射之气体注射器的300厘米LAM TCPTM电浆反应器所获得的氯原子分布图;图6a-c是聚矽实线之蚀刻轮廓的SEM(扫描电子显微镜)影像图和图6d-f是聚矽隔离线之蚀刻轮廓的SEM(扫描电子显微镜)影像图;图7a-d是横跨经反应器处理过之300厘米胶片的聚矽实线和隔离线的蚀刻轮廓SEM(扫描电子显微镜)影像图,其中所操作的反应器装有根据本发明之顶部气体注射器;以及图8a-d是横跨经反应器处理过之300厘米胶片的聚矽实线和隔离线的蚀刻轮廓SEM(扫描电子显微镜)影像图,其中该反应器装有侧面气体注射器。 |
