在半导体装置之不同含矽区域形成不同矽化物部分之方法

摘要

一种方法，其中不同的金属层依序沉积在含矽区域上，以便该金属层之类型及厚度可以适合于该下层含矽区域之特定的特性，接着，执行热处理以转换该金属成为金属矽化物，以便改善该含矽区域之电性传导性。在此方式中，矽化物部分可以形成为个别地适合特定的含矽区域，以便个别的半导体元件之装置效能或复数个半导体元件之整体的效能可以显着地改善。再者，所揭露之半导体装置包括具有不同的矽化物部分在其中形成之至少两个含矽区域，其中至少一个矽化物部分包括贵重金属。