| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体平面显示器面板之结构,其包含:一透光基板;一缓冲层,形成于该透光基板上;一顶部闸极薄膜电晶体结构,形成于该缓冲层上,其包含一通道区;以及一遮光结构,该遮光结构之部分区域系形成于该通道区之下方区域,以避免该通道区受该平面显示器面板之一背光光源照射,且该缓冲层系介于该遮光结构与该顶部闸极薄膜电晶体结构之间。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该透光基板系为一玻璃基板。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该缓冲层系选自氮化矽、氧化矽或是其组合所完成。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该遮光结构系以选自铬、钼、钨等熔点高且不透光物质所完成。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该顶部闸极薄膜电晶体结构系包含:一半导体层,形成于该缓冲层上,其包含该通道层及一源/汲极结构;一闸极绝缘结构,形成于该半导体层上;一闸极导体结构,形成于该闸极绝缘结构上,且覆盖于该通道区之上方区域;一介电层,形成于该闸极导体结构及该闸极绝缘结构上;一导体接线结构,形成于该介电层上,且穿越部分该绝缘层与该闸极绝缘结构而与该源/汲极接触。6.如申请专利范围第5项所述之结构,其中该半导体层更包含一轻掺杂汲极结构,其系形成于该通道区之外围区域,且该源/汲极结构系形成于该轻掺杂汲极结构之外围区域。7.如申请专利范围第5项所述之结构,其中该半导体层系为一多晶矽层。8.如申请专利范围第5项所述之结构,其中该闸极导体结构系以选自铬、钼化钨、钽、铝或铜等材质中之一来完成。9.如申请专利范围第5项所述之结构,其中该闸极绝缘结构系以氧化矽所完成。10.一种薄膜电晶体平面显示器面板之制造方法,包含下列步骤:提供一透光基板;于该透光基板上方依序形成一缓冲层及一顶部闸极薄膜电晶体结构;于该透光基板上方形成一遮光结构,使该该缓冲层系介于该遮光结构与该顶部闸极薄膜电晶体结构之间,且该遮光结构之部分区域系形成于该顶部闸极薄膜电晶体结构之通道区之下方区域,以避免该通道区受该平面显示器面板之一背光光源照射。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该透光基板系为一玻璃基板。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该缓冲层系选自氮化矽、氧化矽或是其组合所完成。13.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该遮光结构系以选自铬、钼、钨等熔点高且不透光物质所完成。14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该顶部闸极薄膜电晶体结构之制造方法,包含下列步骤:于该缓冲层上依序形成一半导体层及一光阻层,利用该遮光结构为光罩由下而上透过该透光基板对该光阻层进行曝光并去除曝过光之该光阻层;以未曝光之该光阻层为罩幕,对该半导体层进行一重掺杂离子布値制程而形成一薄膜电晶体之源/汲极结构;于该半导体层上依序形成一闸极绝缘层及一第一导体层后,以一第二道光罩微影蚀刻制程对该第一导体层定义出一薄膜电晶体之闸极导体结构;于具有该闸极导体结构之该闸极绝缘层上方形成一介电层,以一第三道光罩微影蚀刻制程对该闸极绝缘层及该介电层定义出一接触孔;以及于具有该接触孔之该介电层上形成一第二导体层并以一第四光罩微影蚀刻制程定义出一源/汲极接线结构。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该顶部闸极薄膜电晶体结构之制造方法更包含下列步骤:以该闸极导体结构为罩幕,对该闸极绝缘层进行一轻掺杂离子布値制程而形成一轻掺杂汲极结构(Lightly Doped Drain)。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该半导体层系为一多晶矽层。17.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该闸极导体结构系以选自铬、钼化钨、钽、铝或铜等材质中之一来完成。18.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该闸极绝缘结构系以氧化矽所完成。19.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该遮光结构之部分区域系作为一黑色矩阵(blackmatrix)。20.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该顶部闸极电晶体系为一低温多晶矽薄膜电晶体。图式简单说明:第一图:其系一薄膜电晶体液晶显示器中一像素单元之电路示意图。第二图(a)(b)(c):其系一低温多晶矽薄膜电晶体成长于一玻璃基版上之制程步骤示意图。第三图(a)(b)(c)(d)(e)(f):其系本案薄膜电晶体平面显示器面板制造方法之第一较佳实施例步骤示意图。第四图(a)(b)(c)(d)(e)(f):其系本案薄膜电晶体平面显示器面板制造方法之第二较佳实施例步骤示意图。 |
