发明名称 具有沟槽电晶体胞元电极之电接触结构之电晶体排列
摘要 电晶体排列(1)具有沟槽电晶体胞元(3)沿着一半导体基质(6)中的沟槽(9)排列,其具有两个或更多个电极结构(10,11)排列于沟槽(9)中,以及在该半导体基质(6)之基质表面(7)上排列金属化(20,21),该沟槽被增长至该电晶体排列(1)之不活化边缘区(4),以及在该边缘区域(4)中该电极结构(10,11)与对应金属化(20,21)之间提供电性传导接触。
申请公布号 TW200304702 申请公布日期 2003.10.01
申请号 TW092102939 申请日期 2003.02.12
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 约阿希姆 克鲁姆莱;弗兰茨 希尔勒;拉尔夫 亨宁格尔;马丁 珀尔其尔;瓦尔特 里格尔
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国