半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种使用自对齐浅沟隔离制程的半导体装置制造方法，形成隔离单元以便与闸结构自对齐，该方法的步骤包括：提供第一复矽层，覆盖于基体上的闸隔离层上；成形穿过第一复矽层并进入基体的沟；提供一氧化物层，覆盖在包括沟的基体上，以使沟内氧化物层的顶表面高于第一复矽层的底表面；提供第二复矽层，覆盖在氧化物层上，以使沟内第二复矽层的顶表面低于第一复矽层的顶表面；整平第二复矽层，氧化物层及第一复矽层，同时，整平的步骤止于沟内第二复矽层的顶表面。