| 摘要 |
本发明提出一种在半导体基材(1)上制造多个高度相近且间隔相同闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)的方法，这种制造方法的步骤为：在半导体基材(1)上设置一层闸极介质材料(5)；在闸极介质材料(5)上由下往上至少依序设置第一层(10)及第二层(20)，以形成闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)；以斜向注入方式(I1，I2)将具有阻碍氧化物生长作用的物质注入闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)的第二层(20)的两个相对而立的露出的侧壁面内，在此步骤中，相邻的闸极堆叠具有将闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)的第一层(10)的露出的侧壁面遮蔽住的作用；经由氧化作用同时在闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)的第一层(10)的露出的侧壁面上形成第一个氧化层(01)，以及在闸极堆叠(GS1，GS2，GS3)的第二层(20)的露出的侧壁面上形成第二个氧化层(02)，且第一个氧化层(01)的厚度大于第二个氧化层(02)的厚度。 |
