发明名称 可分割成复数记忆区块之磁性体记忆阵列的写入电路结构
摘要 在资料写入时,第一驱动器INV按照写入资料将第一共用节点和第一及第二电压之一方在电气上连接。第二驱动器INVR将第二共用节点和第一及第二电压之另一方在电气上连接。设置复数第一开关电路TR,将各位元线之一端侧和第一共用节点各自在电气上连接;复数第二开关电路TRR,将另一端侧和第二共用节点各自在电气上连接。按照行选择结果使对应之位元线之第一及第二开关电路变成导通。因此,在各位元线不设置驱动器就可执行资料写入。
申请公布号 TW200304650 申请公布日期 2003.10.01
申请号 TW091136487 申请日期 2002.12.18
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 高晴;大石司
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本