| 主权项 |
1.一种形成接触窗的方法,包括:在一基底上形成一介电层;在该介电层上形成一图案化之光阻层;利用该光阻层为一蚀刻罩幕移除该介电层之部分厚度,以形成一第一开口;在该光阻层之表面上形成一第一衬层;利用该第一衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第一开口底下之该介电层的部分厚度,以形成一第二开口,该第二开口之范围系涵盖该第一开口;在该光阻层上形成一第二衬层,覆盖该第一衬层;利用该第二衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第二开口底下之该介电层,以形成一第三开口,暴露出该基底,该第三开口之范围系涵盖该第二开口;移除该第二衬层、该第一衬层与该光阻层;以及在该第三开口中填入一导电层,以形成一接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层与该介电层之间具有一蚀刻选择比。3.如申请专利范围第1项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层系分别为一高分子材料层。4.如申请专利范围第1项所述之形成接触窗的方法,其中该介电层之材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之形成接触窗的方法,其中形成该第一衬层与该第二衬层之方法包括一电浆增益型化学气相沈积法。6.如申请专利范围第5项所述之形成接触窗的方法,其中该电浆增益型化学气相沈积法所使用之一反应气体之主要成分包括CH2F2或CH2F2/C4F8之混合气体或CH2F2/CHF3之混合气体。7.如申请专利范围第5项所述之形成接触窗的方法,其中该电浆增益型化学气相沈积法所使用之一选择性添加气体包括氩气、一氧化碳、氧气与氮气。8.如申请专利范围第5项所述之形成接触窗的方法,其中该电浆增益型化学气相沈积法之一反应压力系介于1至100 mTorr之间。9.如申请专利范围第5项所述之形成接触窗的方法,其中该电浆化学气相沈积法之一功率系介于500至2000 W之间。10.一种形成接触窗的方法,包括:在一基底上形成一介电层;在该介电层上形成一图案化之光阻层;利用该光阻层为一蚀刻罩幕移除该介电层之部分厚度,以形成一第一开口;移除该该光阻层;在该介电层上与该第一开口中形成一第一衬层;利用该第一衬层为一蚀刻罩幕以移除该第一开口底下之该介电层的部分厚度,以形成一第二开口,该第二开口之范围系涵盖该第一开口;在该介电层上形成一第二衬层,覆盖该第一衬层;利用该第二衬层为一蚀刻罩幕以移除该第二开口底下之该介电层,以形成一第三开口,暴露出该基底,该第三开口之范围系涵盖该第二开口;以及在该第三开口中填入一导电层,以形成一接触窗。11.如申请专利范围第10项所述之形成接触窗的方法,其中在该第三开口中填入导电层之前,进一步包括一移除该第二衬层与该第一衬层之步骤。12.如申请专利范围第10项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层与该介电层之间具有一蚀刻选择比。13.如申请专利范围第10项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层之材质包括氮化矽。14.如申请专利范围第10项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层之材质包括一金属。15.如申请专利范围第10项所述之形成接触窗的方法,其中该介电层之材质包括氧化矽。16.一种形成接触窗的方法,包括:在一基底上形成一介电层;在该介电层上形成一图案化之光阻层;利用该光阻层为一蚀刻罩幕移除该介电层之部分厚度,以形成一第一开口;移除该该光阻层;在该介电层上与该第一开口中形成一第一衬层;利用该第一衬层为一蚀刻罩幕以移除该第一开口底下之该介电层的部分厚度,以形成一第二开口,该第二开口之范围系涵盖该第一开口;在该介电层上形成一第二衬层,覆盖该第一衬层;利用该第二衬层为一蚀刻罩幕以移除该第二开口底下之该介电层,以形成一第三开口,暴露出该基底,该第三开口之范围系涵盖该第二开口;以及直接在该第三开口中填入一导电层,以形成一接触窗。17.如申请专利范围第16项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层与该介电层之间距有一蚀刻选择比。18.如申请专利范围第16项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层之材质包括氮化矽。19.如申请专利范围第16项所述之形成接触窗的方法,其中该第一衬层与该第二衬层之材质包括一金属。20.如申请专利范围第16项所述之形成接触窗的方法,其中该介电层之材质包括氧化矽。图式简单说明:第1A图至第1G图为依照本发明一第一实施例之形成接触窗的流程剖面示意图;以及第2A图至第2H图为依照本发明一第二实施例之形成接触窗的流程剖面示意图。 |
