| 摘要 |
作为本发明之解决手段，记忆单元(1)系包含有感测用存取电晶体(6)、恢复用存取电晶体(7)及记忆体电容器(8)。感测存取电晶体系根据感测字线(SWL)将记忆体电容器耦合于感测位元线(SBL)。恢复存取电晶体系根据恢复字线(RWL)上的信号将记忆体电容器耦合于恢复位元线(RBL)。记忆体电容器的电荷系介由感测位元线传输给感测放大器(2)，且介由恢复放大器(3)及恢复存取电晶体，将感测放大器的感测资料传输给原来的记忆体电容器。此外，将感测放大器的输出信号线与感测及恢复位元线作电性隔离。本发明之目的在于缩短半导体记忆装置的存取时间。 |
