发明名称 透明导电层合体及其制造方法
摘要 一种透明导电层合体其具有完全结晶化之透明导电层于一包含有机聚合物成形件之基板上,及该透明导电层合体之制造方法。透明导电层之透明度及湿润可靠度绝佳,比电阻率不会过低。透明导电层合体包括一基板,该基板包含一种有机聚合物成形件,于其上成形一完全结晶化之透明导电层,该透明导电层包含一种In.Sn复合氧化物,以In原子及Sn原子总重为基准,具有Sn原子含量为1至6%重量比,其有薄膜厚度为15至50奈米,赫尔迁移率为30至45平方厘米/伏特.4秒,以及载子密度为2×10^20/立方厘米至6×10^20/立方厘米。
申请公布号 TW200306254 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092107645 申请日期 2003.04.03
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 佐佐和明;河村和典;豊泽圭子;前田智彦
分类号 B32B9/00 主分类号 B32B9/00
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本