发明名称 Method for margin testing
摘要 A method for testing semiconductor memory device using an active restore weak write test mode for resistive bitline contacts. During the write margin testing a test signal is used to block the bitline restore devices from turning off during the memory write cycle.
申请公布号 US6650580(B1) 申请公布日期 2003.11.18
申请号 US20020064569 申请日期 2002.07.26
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BRACERAS GEORGE M.
分类号 G11C29/02;G11C29/50;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/00 主分类号 G11C29/02
代理机构 代理人
主权项
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