| 主权项 |
1.以单一晶片制程制作一闸极介电层之方法,至少包括:提供具一第一导电性之一单一矽晶片;形成复数个隔离区于该矽晶片中;形成具电性与该第一导电性相反之一第二导电性之一井区于一对该等隔离区之间之该矽晶片的一顶部区域;置放该矽晶片于一单晶片反应室中,并进行一氮化步骤(nitridation)以成一含氮氧化矽层于该井区之一表面上;及置放该矽晶片于一单晶片快速加热制程反应室中,并进行一随同蒸气产生氧化制程(in-situ steamgeneration oxidation process),以将该含氮氧化矽层氧化成一具氮氧化矽底层之氧化矽层,以供做一闸极介电层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一导电性系为N型导电性及P型导电性其中任一者。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之氮化步骤系在温度约700~1200℃下之一氧化氮气氛(NO ambient)中进行。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之氮化步骤系在温度约700~1200℃下之一氧化二氮气氛(N2O ambient)中进行。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steam ambient)中进行。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steam ambient)中进行。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steam ambient)中进行。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。11.以单一晶片制程制作一闸极介电层之方法,至少包括:提供具一第一导电性之一单一矽晶片;形成复数个隔离区于该矽晶片中;形成具电性与该第一导电性相反之一第二导电性之一井区于一对该等隔离区之间之该矽晶片的一顶部区域;置放该矽晶片于一设备单元中之一单晶片反应室中,并进行一氮化步骤(nitridation)以成一含氮氧化矽层于该井区之一表面上;及置放该矽晶片于该设备单元中之一单晶片快速加热制程反应室中,并进行一随同蒸气产生氧化制程(in-situ steam generation oxidation process),以将该含氮氧化矽层氧化成一具氮氧化矽底层之氧化矽层,以供做一闸极介电层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之第一导电性系为N型导电性及P型导电性其中任一者。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之氮化步骤系在温度约700~1200℃下之一氧化氮气氛(NO ambient)中进行。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之氮化步骤系在温度约700~1200℃下之一氧化二氮气氛(N2Oambient)中进行。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steam ambient)中进行。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steam ambient)中进行。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之随同蒸气产生氧化制程系在温度约800~1300℃下之水蒸气气氛(steamambient)中进行。18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之闸极介电层之厚度约10~100埃。图式简单说明:第一A图至第一C图系本发明一具体实施例之各制程步骤之截面示意图;及第二图系第一图之具体实施例之步骤流程图。 |
