发明名称 半导体制造中用来改进控制的自调适取样方法
摘要 本发明提供一种方法,该方法包含:在至少一个处理步骤(105)中,对工件上所施行的处理,取样至少一个特性参数(110);以及,使用自适应取样处理模型(130)来模型化该至少一个取样的特性参数,而基于情况信息、上游事件和行程至行程控制器要求的至少其中之一来变化取样,将取样处理为动态控制环境的一合成部份。该方法也包含:应用该自适应取样处理模型(130),来修正(135,155,160)在至少一个处理步骤(105)中所施行的处理。
申请公布号 CN1459052A 申请公布日期 2003.11.26
申请号 CN01815736.X 申请日期 2001.09.07
申请人 先进微装置公司 发明人 A·J·帕萨迪恩;A·J·托普拉克;M·L·米勒
分类号 G05B13/02 主分类号 G05B13/02
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 戈泊;程伟
主权项 1.一种方法,包含:在至少一个处理步骤(105)中,对工件上所施行的处理,取样(105)至少一个特性参数;使用自适应取样处理模型(130)来模型化该至少一个取样的特性参数,而基于情况信息、上游事件和行程至行程控制器要求的至少其中之一来变化取样,将取样处理为动态控制环境的合成部份;以及应用该自适应取样处理模型(130),来修正(135,155,160)在该至少一个处理步骤(105)中所施行的处理。
地址 美国加利福尼亚州