| 摘要 |
本发明系提供一种可抑制图案补正时间的增加，并因应所要求的电路特性而在实用的范围内，能使电晶体之闸极线幅达成最佳化之光罩图案补正装置及光罩图案补正方法之相关技术。为达成此目的，该光罩图案补正装置系具有：光接近效果补正手段3，其系对设计图案进行光接近效果补正；及模拟手段4，其系依据光接近效果所补正之补正图案，而将以特定之转印条件进行曝光时所取得之转印影像予以模拟；及闸极长度测定手段5，其系将转印影像中之闸极部予以抽出，并因应于所要求之特性而测定闸极部之特定部份之闸极长度；以及图案变形手段8，其系在具有落于依据所要求的特性而决定之容许范围外之闸极长度之闸极部存在时，为使该闸极部的特定部份之闸极长度能落于容许范围内，而将光接近效果所补正之补正图案予以变形。 |
