| 摘要 |
本发明系关于具有产生超临界溶媒之高压消毒器1之设备，该高压消毒器设有对流管理装置2，且在该对流管理装置2上方形成配置原料16之溶解区域13，在下方形成配置晶种17之结晶化区域者。上述溶解区域13与结晶化区域14间之超临界溶液之对流速度，系根据上述管理装置2之开度及上述溶解区域13与结晶化区域14之温差而设定。因此，其溶解度为负温度系数之超临界溶液，系由上述溶解区域13藉着上述对流管制装置2供给于配置晶种之结晶化区域14，而当上昇至特定温度后，该超临界溶液之溶解度则超越对晶种之过饱和域，氮化物结晶则于晶种面选择性成长。由于本装置内系调整于不产生自动成长之浓度以下，因而可制得氮化物之块状单晶。 |
