在制程中半导体基板之近边缘区域形成薄膜之方法与装置

摘要

本发明利用一大气电浆源作为化学活性气体种类，再利用气体流动控制装置与电机械定位装置将产生的化学活性气体种类引导至制程中半导体基板之近边缘表面。根据选择的电浆源输入气体，允许熟悉该项技术者调整输出化学之工作，以完成材质的移除或沈积。且基板移除或沈积制程的成形系藉由控制基板与电浆源之相对移动来达到目的者。