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发明名称
磁阻记忆体装置与总成及储存及取还资讯之方法; AND METHODS OF STORING AND RETRIEVING INFORMATION
摘要
本发明揭示一种磁阻记忆体装置。该装置包括一含有堆叠体的记忆位元,该堆叠体有一第一磁性层、一第二磁性层。及一介于第一与第二磁性层之间的非磁性层。一第一导通线接近该堆叠体上被组态用来从该记忆位元读取资讯。一第二导通线与该堆叠体的分隔距离大于该第一导通线与该堆叠体的分隔距离,且该第二导通线被组态用来将资讯写至该记忆位元。本发明也包括用来储存及取还一交错点阵列架构内之资讯的方法。
申请公布号
TW200307942
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW092100598
申请日期
2003.01.13
申请人
麦克隆科技公司
发明人
哈山 尼哈德
分类号
G11C11/02
主分类号
G11C11/02
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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