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发明名称
用于低电容静电放电韧性二极体之方法及结构
摘要
本发明揭示一种具有低于0.1pF及击穿电压至少500V之二极体。该二极体具有第一导电率型之阳极,及第二导电率型之阴极配置于阳极之下。至少一阴极及阳极有一多个垂直邻接之扩散区。该阴极及阳极配置于相邻隔离区之间并以其为界。
申请公布号
TW200308032
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW092104663
申请日期
2003.03.05
申请人
万国商业机器公司
发明人
史帝文 H 渥曼
分类号
H01L21/62
主分类号
H01L21/62
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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