发明名称 用于低电容静电放电韧性二极体之方法及结构
摘要 本发明揭示一种具有低于0.1pF及击穿电压至少500V之二极体。该二极体具有第一导电率型之阳极,及第二导电率型之阴极配置于阳极之下。至少一阴极及阳极有一多个垂直邻接之扩散区。该阴极及阳极配置于相邻隔离区之间并以其为界。
申请公布号 TW200308032 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092104663 申请日期 2003.03.05
申请人 万国商业机器公司 发明人 史帝文 H 渥曼
分类号 H01L21/62 主分类号 H01L21/62
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国