发明名称 半导体装置及其测试方法
摘要 一种多–汇流排半导体装置及其之探测测试的方法一方面执行一装置之个别之焊垫的DC测试而另一方面应付根据输入/输出焊垫数目压缩测试之方案之同时测量之装置的适当数目。该半导体装置包括连接在输入/输出焊垫P0–P4与一测试线L0之间的开关元件SW0-SW4以致于与被打开之开关元件之组合相符之在一任意组合中的焊垫,在不与该测试器探针Pr0接触的不探测焊垫P1–P4当中,系被选择以供测试。该等在接受测试之焊垫的输入/输出缓冲器系被不作动俾可封锁它们的内部电流路径。该等对应的开关元件系被打开俾可把在接受测试的不探测焊垫连接到与该测试器探针Pr0接触的探测焊垫P0,且探针的漏电流系由该测试器TS测量。
申请公布号 TW200400579 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW092102893 申请日期 2003.02.12
申请人 富士通股份有限公司 发明人 山本正治;光明寺博介;安田达;石川干郎;祖父江功弥;佐藤一;古川千秋;杉浦朗;岩濑章弘
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本