具有绝缘体之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提供一种半导体装置及其制造方法，具备有：可藉由无孔洞(void)等缺陷之良好膜质之绝缘膜填充微细之沟道内部，以显现良好之分离特性之元件分离构造。本发明之半导体装置，系具备有：半导体基板1与分离绝缘体2a至2c。于半导体基板1之主表面形成沟道17a至17c。分杂绝缘体2a至2c，乃利用热氧化法形成于沟道内部，系用以于半导体基板1之主表面分离元件形成区。上述分离绝缘体2a至2c系多数之氧化膜3a至3c、4a至4c、5a至5c、6b、7b之叠层体。