非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明的非挥发性半导体记忆装置之记忆体单元，系形成于矽基板(1)上隔着ONO膜(13)所形成的矽层(3)上。记忆体单元系包括：矽层(3)内所形成的源极区域(4)与汲极区域(5)、ONO膜(6)及闸极(7)。ONO膜(6)与ONO膜(13)系包括捕获电荷用之电荷捕获部的氮化膜(6b，13b)。