发明名称 结构强化之开窗型半导体封装件
摘要 一种结构强化之开窗型(Window-Type)半导体封装件,系于一开设有开孔之基板上接置至少一晶片,使晶片之作用表面覆盖住并部分地外露于开孔中,而得藉形成于开孔中之焊线电性连接至基板;然后,敷设一不具导电性材料至晶片上除作用表面外之部位;接着,于基板上形成一上封装胶体以包覆晶片及不具导电性材料,并形成一下封装胶体,使下封装胶体填充至基板之开孔中且包覆住焊线。使用不具导电性材料以于形成上封装胶体前包覆晶片,得避免晶片(尤其于通常经历较大热应力之角落或边缘部位)于后续制程如上封装胶体固化或热循环中产生裂损,而能确保半导体封装件之品质及信赖性。
申请公布号 TW573331 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW091123404 申请日期 2002.10.11
申请人 联测科技股份有限公司 发明人 蔡宪聪;苏文生;陈坤煌;林进兴;许铭;吴文隆
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种结构强化之开窗型半导体封装件,系包括:一基板,具有一上表面及一相对之下表面,且开设有至少一贯穿该上、下表面之开孔;至少一晶片,具有一作用表面及一相对之非作用表面,该晶片之作用表面接置于该基板之上表面上并覆盖该开孔,使该作用表面上之电性区外露于该基板之开孔中;一不具导电性材料,敷设于该晶片上除作用表面外之部位;多数焊线,形成于该基板之开孔中,用以电性连接该晶片之电性区至该基板之下表面;一上封装胶体,形成于该基板之上表面上,用以包覆该晶片及该不具导电性材料;以及一下封装胶体,形成于该基板之下表面上并填充至该开孔中,用以包覆该焊线。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,复包括:多数焊球,植接于该基板之下表面上不影响该下封装胶体之区域。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该不具导电性材料系具弹性。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该不具导电性材料系完全覆盖住该晶片上除作用表面外之部位。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该不具导电性材料之顶部系外露出该上封装胶体。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片之非作用表面系外露出该不具导电性材料。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片之非作用表面系外露出该上封装胶体。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该不具导电性材料系以印刷(Printing)方式敷设。9.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该不具导电性材料系以点胶(Dispensing)方式敷设。10.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片之电性区上形成有多数焊垫,使该焊垫与该焊线焊接。11.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该上封装胶体系以模压方式制成。12.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该下封装胶体系以印刷方式制成。13.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该焊球之高度系大于该下封装胶体突出该基板下表面之厚度。图式简单说明:第1A至1E图系本发明之第一实施例之半导体封装件之制造过程示意图;第2图系本发明之第二实施例之半导体封装件之剖视图;第3图系本发明之第三实施例之半导体封装件之剖视图;以及第4图系一习知半导体封装件之剖视图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行三路二号