发明名称 半导体发光元件
摘要 本发明揭示一种半导体发光元件,其为由射出面向外部射出光线的ZnSe(晒化锌)类发光元件,藉由具有:n型ZnSe基板,其具备自我活性发光中心SA;活性层,其形成于n型ZnSe基板;及Al(铝)层,其用以将光线反射至射出面侧,有效运用产生的光线,以提供具有高辉度且易于调整白色发光元件之色度的ZnSe类发光元件。
申请公布号 TW200402897 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092113727 申请日期 2003.05.21
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 中村孝夫;藤原伸介;松原秀树
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本