| 摘要 |
揭露一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包含一电容器在一半导体基板上，该电容器具有一下电极、一上电极、与一介于该下电极与该上电极之间的电容绝缘膜，其中该电容绝缘膜利用化学汽相沈积法形成于在该半导体基板上之该下电极上，该方法包含：一下电极形成步骤，用以在该半导体上形成该下电极；一两阶段沈积步骤，包括一用来将一含有一特定金属之原料气体引入一反应器之第一阶段，该半导体基板置于该反应器中，与一用来随后将一氧化气体引入该反应器之第二阶段，且其中一做为该特定金属之氧化物的金属氧化膜形成于该半导体基板上之该下电极上，藉着重复该两阶段沈积步骤二或更多次，藉此形成该电容绝缘膜；以及一上电极形成步骤，用以在该电容绝缘膜上形成该上电极。因此，可得到具有良好阶梯覆盖率与薄膜性质之电容绝缘膜，而不降低产能。 |
