| 摘要 |
本发明之解决手段为，在对形成电路于藉由间隔线所区隔的区域上之半导体晶圆W，分割为各个具有个别电路的半导体晶片的情况下，由隔着因刺激而使黏着力降低的黏着层，黏着半导体晶圆W的表面于支撑板13上，并曝光半导体晶圆的内面10，然后研磨与支撑板13呈一体的半导体晶圆的内面10，于研磨制程结束后，在维持与支撑板呈一体的半导体晶圆W的内面朝上的状态下，进行切割来分割半导体晶片C，并施加刺激于黏着层上使黏着力降低，而从支撑板13当中移出半导体晶片C。因为半导体晶圆及半导体晶片经常支撑于支撑板上，因此可防止破损、变形的产生。 |
