| 摘要 |
本发明系关于一种半导体装置，其目的在于一方面防止最上层具有铜层的密封环之氧化及腐蚀，一方面防止切割时在电路形成区域产生裂痕。其解决手段系在钝化膜120中，形成有到达层间绝缘膜109之开口部123者。而开口部123系配置成包围密封环110的外侧。换句话说，第2配线层114上面，系因藉由钝化膜120而被完全地覆盖着，所以第2配线层114上面并未曝露于外界空气中。因而，可防止第2配线层114之氧化、腐蚀，且可防止密封环110对半导体装置之保护效果的恶化。更且，藉由开口部123之存在，对切割区域进行切割时之应力就不易传至电路形成区域上之钝化膜120，而可防止在电路形成区域产生裂痕。 |
