发明名称 绝缘闸极薄膜电晶体及其控制系统
摘要 闸极临界电压被电子式控制于在半导体薄膜中所形成之绝缘闸极电晶体中,例如完全空乏型SOI,其使载子空乏于第一与第二主表面之间。一相反导电类型之第三半导体区域被放置而使得他和半导体薄膜相接触,半导体薄膜中之载子的量系藉由将相反导电类型的载子从第三半导体区域供应给半导体薄膜,或者藉由将相反导电类型的载子自半导体薄膜抽取入第三半导体区域中来予以控制的。
申请公布号 TW200402886 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092108139 申请日期 2003.04.09
申请人 精工电子有限公司;林丰 发明人 林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本