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经营范围
发明名称
具有高结构可靠度及低寄生电容之半导体装置
摘要
提供一种具有高结构可靠度及低寄生电容之半导体装置。在一例子中,半导体装置具有一表面。半导体装置包含一半导体区域,其中射极区域、基极区域及集极区域从靠近半导体区域之基底的侧面被叠合;一绝缘保护层,放置在表面上;及一配线层,放置在表面上,绝缘保护层从半导体区域之基底的侧面形成一通孔,通孔做成允许配线层从射极区域、基极区域及集极区域叠合在一起且半导体区域被隔离之基底的侧面,与射极区域之电极接触。
申请公布号
TW200402878
申请公布日期
2004.02.16
申请号
TW092109248
申请日期
2003.04.21
申请人
日立制作所股份有限公司
发明人
田上知纪;望月和浩;山田宏治
分类号
H01L29/72
主分类号
H01L29/72
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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