发明名称 具有高结构可靠度及低寄生电容之半导体装置
摘要 提供一种具有高结构可靠度及低寄生电容之半导体装置。在一例子中,半导体装置具有一表面。半导体装置包含一半导体区域,其中射极区域、基极区域及集极区域从靠近半导体区域之基底的侧面被叠合;一绝缘保护层,放置在表面上;及一配线层,放置在表面上,绝缘保护层从半导体区域之基底的侧面形成一通孔,通孔做成允许配线层从射极区域、基极区域及集极区域叠合在一起且半导体区域被隔离之基底的侧面,与射极区域之电极接触。
申请公布号 TW200402878 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092109248 申请日期 2003.04.21
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 田上知纪;望月和浩;山田宏治
分类号 H01L29/72 主分类号 H01L29/72
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本